參數(shù)資料
型號： HYS64D32020GDL-6-B
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules
中文描述： 200引腳小外型雙列直插內(nèi)存模塊
文件頁數(shù)： 18/31頁
文件大?。?/td> 777K
代理商： HYS64D32020GDL-6-B
Data Sheet
18
V1.2, 2003-08
HYS64D[1600x/32020]GDL–[5/6/7/8]–B
Small Outline DDR SDRAM Modules
AC Characteristics
4
Table 11
Parameter
AC Characteristics
AC Timing - Absolute Specifications –6/–5
Symbol
–6
–5
Unit
Note/ Test
Condition
1)
DDR333
Min.
–0.7
–0.6
0.45
0.45
min. (
t
CL
,
t
CH
)
6
DDR400B
Min.
–0.6
–0.5
0.45
0.45
min. (
t
CL
,
t
CH
)
5
Max.
+0.7
+0.6
0.55
0.55
Max.
+0.6
+0.5
0.55
0.55
DQ output access time from CK/CK
DQS output access time from CK/CK
CK high-level width
CK low-level width
Clock Half Period
Clock cycle time
t
AC
t
DQSCK
t
CH
t
CL
t
HP
t
CK
ns
ns
t
CK
t
CK
ns
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
12
12
CL = 3.0
2)3)4)5)
6
12
6
12
ns
CL = 2.5
2)3)4)5)
7.5
12
7.5
12
ns
CL = 2.0
2)3)4)5)
DQ and DM input hold time
DQ and DM input setup time
Control and Addr. input pulse width
(each input)
DQ and DM input pulse width (each
input)
Data-out high-impedance time from
CK/CK
Data-out low-impedance time from CK/
CK
Write command to 1
st
DQS latching
transition
DQS-DQ skew (DQS and associated
DQ signals)
Data hold skew factor
t
DH
t
DS
t
IPW
0.45
0.45
2.2
—
—
—
0.4
0.4
2.2
—
—
—
ns
ns
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)6)
t
DIPW
1.75
—
1.75
—
ns
2)3)4)5)6)
t
HZ
–0.7
+0.7
–0.6
+0.6
ns
2)3)4)5)7)
t
LZ
–0.7
+0.7
–0.6
+0.6
ns
2)3)4)5)7)
t
DQSS
0.75
1.25
0.75
1.25
t
CK
2)3)4)5)
t
DQSQ
—
+0.45
—
+0.40
ns
TSOPII
2)3)4)5)
t
QHS
—
+0.55
—
+0.50
ns
TSOPII
2)3)4)5)
DQ/DQS output hold time
t
QH
t
HP
–
t
QHS
0.35
—
t
HP
–
t
QHS
0.35
—
ns
2)3)4)5)
DQS input low (high) pulse width (write
cycle)
DQS falling edge to CK setup time
(write cycle)
DQS falling edge hold time from CK
(write cycle)
Mode register set command cycle time
t
MRD
Write preamble setup time
Write postamble
Write preamble
t
DQSL,H
—
—
t
CK
2)3)4)5)
t
DSS
0.2
—
0.2
—
t
CK
2)3)4)5)
t
DSH
0.2
—
0.2
—
t
CK
2)3)4)5)
2
0
0.40
0.25
—
—
0.60
—
2
0
0.40
0.25
—
—
0.60
—
t
CK
ns
t
CK
t
CK
2)3)4)5)
t
WPRES
t
WPST
t
WPRE
2)3)4)5)8)
2)3)4)5)9)
2)3)4)5)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYS64D32020GDL-5-B Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 63V; Case Size: 8x11.5 mm; Packaging: Bulk
HYS64D32020GDL-7-B 200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules
HYS64D32020GDL-8-B 200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules
HYS64D32020GDL 200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules
HYS64D16000GDL-6-C Network Cable Assembly; Connector Type A:T568A/B Modular Plug; Connector Type B:T568A/B Modular Plug; Cable Length:7ft; Approval Categories:Augmented Category 6 standards; cord color per TIA/EIA-606 standard RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYS64D32020GDL-6-C 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules
HYS64D32020GDL-7B 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYS64D32020GDL-7-B 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules
HYS64D32020GDL-8-B 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules
HYS64D32020GU-7-A 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Unbuffered DDR SDRAM-Modules
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