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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYS64V1000GU-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 1M x 64-Bit SDRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit SDRAM Module |
| 中文描述： | 1M X 64 SYNCHRONOUS DRAM, DMA168 |
| 封裝： | DIMM-168 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | HYS64V1000GU-60 |
HYS64(72)V1000GS-10/-12/-15
1M x 64/72 SDRAM-Module
Semiconductor Group
6
DC Characteristics
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
DD,
V
DDQ
= 3.3 V
±
0.3 V
Standby and Refresh Currents
(T
a
= 0 to 70
o
C, VCC = 3.3V
±
0.3V
)
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
Input high voltage
V
I
H
V
I
L
V
OH
V
OL
I
I
(L)
2.0
Vcc+0.3
V
Input low voltage
Output high voltage (
I
OUT
= – 2.0 mA)
Output low voltage (
I
OUT
= 2.0 mA)
Input leakage current, any input
(0 V <
V
I
N
< 3.6 V, all other inputs = 0 V)
Output leakage current
(DQ is disabled, 0 V <
V
OUT
<
V
CC
)
– 0.5
0.8
V
2.4
–
V
–
0.4
V
μ
A
– 10
10
I
O(L)
– 10
10
μ
A
Parameter
Symbol
Test Condition
Speed
Sort
Note
X64
X72
Precharged Standby
Current in Power
Down Mode
Icc1P
CKE=<VIL(max), tCK=15ns
12
15
mA
Icc1PS
CKE=<VIL(max),
tCK=Infinity
8
10
mA
Precharged Standby
Current in Non-
power
Down Mode
Icc1N
CKE=>VIH(min), tCK=15ns
Input Change in every 30ns
48
60
mA
Icc1NS
CKE=>VIH(min),
tCK=Infinity
No Input Change
24
30
mA
Active Standby
Current in Power
Down Mode
Icc2P
CKE=<VIL(max), tCK=15ns
12
15
mA
Icc2PS
CKE=<VIL(max),
tCK=Infinity
8
10
mA
Active Standby
Current in Non-
power Down Mode
Icc2N
CKE=>VIH(min), tCK=15ns
Input Change in every 30ns
64
80
mA
Icc2NS
CKE=>VIH(min),tCK=Infinity
No Input Change
40
50
mA
Refresh Current
Icc3
tRC=>tRC(min)
CAS Latency = 3
-10
-12
-15
500
440
360
625
550
450
mA
mA
mA
Self Refresh Current
Icc4
CKE=<0,2V
8
10
mA
Operating Current
Icc5
tRC=tRC(min), tck>tck,min
Io = 0mA
CAS Latency=3,Burst = 4
-10
-12
-15
560
500
400
700
625
500
mA
mA
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYS64V1000GU-70 | 3.3V 1M x 64-Bit SDRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit SDRAM Module |
| HYS72V1000GU-50 | 3.3V 1M x 64-Bit SDRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit SDRAM Module |
| HYS72V1000GU-70 | 3.3V 1M x 64-Bit SDRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit SDRAM Module |
| HYS64V1000GS-10 | 3.3V 1M x 64-Bit SDRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit SDRAM Module |
| HYS64V16220GCDL | 3.3V SDRAM Modules(3.3V SDRAM 模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYS64V1000GU-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit SDRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit SDRAM Module |
| HYS64V128220GU-7.5-A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?1GB PC133 (3-3-3) 2-bank available Q402? |
| HYS64V128220GU-8-A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?1GB PC100 (2-2-2) 2-bank available Q402? |
| HYS64V1600GCD-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HYS64V1600GCDL-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
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