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參數(shù)資料
| 型號： | HYS64V8200GU-8 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3 V 8M x 64/72-Bit 1 Bank SDRAM Module 3.3 V 16M x 64/72-Bit 2 Bank SDRAM Module |
| 中文描述： | 8M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168 |
| 封裝： | DIMM-168 |
| 文件頁數(shù)： | 8/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 248K |
| 代理商： | HYS64V8200GU-8 |
INFINEON Technologies
8
9.01
HYS64V8200GDL/HYS64V16220GDL
144 pin SO-DIMM SDRAM Modules
AC Characteristics
1)2)
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 1 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
-7
PC133-222
-7.5
PC133-333
-8
PC100-222
min.
max.
min.
max.
min.
max.
Clock and Access Time
Clock Cycle Time
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
7.5
7.5
–
–
7.5
10
–
–
10
10
–
–
ns
ns
Clock Frequency
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
–
–
133
133
–
–
133
100
–
–
100
100
MHz
MHz
Access Time from Clock
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
AC
–
–
5.4
5.4
–
–
5.4
6
–
–
6
6
ns
ns
2,
3
Clock High Pulse Width
t
CH
t
CL
t
T
2.5
–
2.5
–
3
–
ns
Clock Low Pulse Width
2.5
–
2.5
–
3
–
ns
Transition time
0.3
1.2
0.3
1.2
0.5
2
ns
Setup and Hold Parameters
Input Setup Time
t
IS
t
IH
t
SB
1.5
–
1.5
–
2
–
ns
4
Input Hold Time
0.8
–
0.8
–
1
–
ns
4
Power Down Mode Entry time
Power Down Mode Exit Setup Time
t
PDE
Mode Register Set-up time
–
1
–
1
–
1
CLK
4
1
–
1
–
1
–
CLK
4
t
RSC
2
–
2
–
2
–
CLK
Common Parameters
Row to Column Delay Time
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
t
RRD
15
–
20
–
20
–
ns
5
Row Precharge Time
15
–
20
–
20
–
ns
5
Row Active Time
42
100k
45
100k
50
100k
ns
5
Row Cycle Time
60
–
67
–
70
–
ns
5
Activate(a) to Activate(b) Command
period
CAS(a) to CAS(b) Command period
t
CCD
14
–
15
–
16
–
ns
5
1
–
1
–
1
–
CLK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYS64V8200GU-8B | 3.3 V 8M x 64/72-Bit 1 Bank SDRAM Module 3.3 V 16M x 64/72-Bit 2 Bank SDRAM Module |
| HYS64V16300GU-75-C2 | 3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte SDRAM Module 168-Pin Unbuffered DIMM Modules |
| HYS64V32220GU-75-C2 | 3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte SDRAM Module 168-Pin Unbuffered DIMM Modules |
| HYS72V16300GU-75-C2 | 3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte SDRAM Module 168-Pin Unbuffered DIMM Modules |
| HYS72V32220GU-75-C2 | 3.3 V 16M x 64/72-Bit 1 Bank 128MByte SDRAM Module 3.3 V 32M x 64/72-Bit 2 Bank 256MByte SDRAM Module 168-Pin Unbuffered DIMM Modules |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYS64V8200GU-8B | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3 V 8M x 64/72-Bit 1 Bank SDRAM Module 3.3 V 16M x 64/72-Bit 2 Bank SDRAM Module |
| HYS64V8220GCDL-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HYS64V8220GDL-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HYS64V8220GU-10 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 8M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module |
| HYS64V8220GU-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 8M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module |
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