參數(shù)資料
型號: HZS-N
廠商: Renesas Technology Corp.
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
中文描述: 250 的低電流運算,低反向泄露,低噪聲穩(wěn)壓二極管
文件頁數(shù): 2/9頁
文件大小: 38K
代理商: HZS-N
HZS-N Series
Rev.0, Aug. 1993, page 2 of 9
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
Pd
400
mW
Junction temperature
Tj
200
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +175
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Zener Voltage
Reverse Current
Dynamic Resistance
V
Z
(V)
*
Min
Test
Condition
I
R
(
μ
A)
Max
Test
Condition
r
d
(
)
Max
Test
Condition
Type
Grade
Max
I
Z
(mA)
5
V
R
(V)
0.5
I
Z
(mA)
5
HZS2.0N
B1
1.88
2.10
120
100
B2
2.02
2.20
HZS2.2N
B1
2.12
2.30
5
120
0.7
100
5
B2
2.22
2.41
HZS2.4N
B1
2.33
2.52
5
120
1.0
100
5
B2
2.43
2.63
HZS2.7N
B1
2.54
2.75
5
100
1.0
110
5
B2
2.69
2.91
HZS3.0N
B1
2.85
3.07
5
50
1.0
120
5
B2
3.01
3.22
HZS3.3N
B1
3.16
3.38
5
20
1.0
120
5
B2
3.32
3.53
HZS3.6N
B1
3.47
3.68
5
10
1.0
120
5
B2
3.62
3.83
HZS3.9N
B1
3.77
3.98
5
5
1.0
120
5
B2
3.92
4.14
HZS4.3N
B1
4.05
4.26
5
5
1.0
120
5
B2
4.20
4.40
B3
4.34
4.53
Note:
Tested with pulse (P
W
= 40ms)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HZS16L Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應用的平面外延齊納二極管)
HZS12L Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應用的平面外延齊納二極管)
HZS18L Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應用的平面外延齊納二極管)
HZS24L Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應用的平面外延齊納二極管)
HZS36L Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應用的平面外延齊納二極管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HZS-NSERIES 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
HZSSERIES 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
HZT33 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Monolithic IC Zener Diode for Temperature Compensation
HZU10 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilizer
HZU10B 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilizer