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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HZS-N |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | HZS-N |
HZS-N Series
Rev.0, Aug. 1993, page 4 of 9
Electrical Characteristics (cont)
(Ta = 25°C)
Zener Voltage
Reverse Current
Dynamic Resistance
V
Z
(V)
*
Min
Test
Condition
I
R
(
μ
A)
Max
Test
Condition
r
d
(
)
Max
Test
Condition
Type
Grade
Max
I
Z
(mA)
5
V
R
(V)
8.0
I
Z
(mA)
5
HZS11N
B1
10.18
10.63
0.2
20
B2
10.50
10.95
B3
10.82
11.26
HZS12N
B1
11.13
11.63
5
0.2
9.0
25
5
B2
11.50
11.92
B3
11.80
12.30
HZS13N
B1
12.18
12.71
5
0.2
10
25
5
B2
12.59
13.16
B3
13.03
13.62
HZS15N
B1
13.48
14.09
5
0.2
11
25
5
B2
13.95
14.56
B3
14.42
15.02
HZS16N
B1
14.87
15.50
5
0.2
12
25
5
B2
15.33
15.96
B3
15.79
16.50
HZS18N
B1
16.34
17.06
5
0.2
13
30
5
B2
16.90
17.67
B3
17.51
18.30
HZS20N
B1
18.14
18.96
5
0.2
15
30
5
B2
18.80
19.68
B3
19.52
20.45
HZS22N
B1
20.23
21.08
5
0.2
17
30
5
B2
20.76
21.65
B3
21.22
22.09
B4
21.68
22.61
Note:
Tested with pulse (P
W
= 40ms)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZS16L | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應(yīng)用的平面外延齊納二極管) |
| HZS12L | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應(yīng)用的平面外延齊納二極管) |
| HZS18L | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應(yīng)用的平面外延齊納二極管) |
| HZS24L | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應(yīng)用的平面外延齊納二極管) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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