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參數(shù)資料
| 型號： | HZS9C2 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 9.3 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| 封裝： | MHD, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | HZS9C2 |
HZS Series
3
Zener Voltage
Reverese Current
Dynamic Resistance
V
Z (V)*
1
Test
Condition I
R (A)
Test
Condition r
d ()
Test
Condition
Type
Grade
Min
Max
I
Z (mA)
Max
V
R (V)
Max
I
Z (mA)
HZS4
B1
3.7
3.9
5
1.0
100
5
B2
3.8
4.0
B3
3.9
4.1
C1
4.0
4.2
C2
4.1
4.3
C3
4.2
4.4
HZS5
A1
4.3
4.5
5
1.5
100
5
A2
4.4
4.6
A3
4.5
4.7
B1
4.6
4.8
B2
4.7
4.9
B3
4.8
5.0
C1
4.9
5.1
C2
5.0
5.2
C3
5.1
5.3
HZS6
A1
5.2
5.5
5
2.0
40
5
A2
5.3
5.6
A3
5.4
5.7
B1
5.5
5.8
B2
5.6
5.9
B3
5.7
6.0
C1
5.8
6.1
C2
6.0
6.3
C3
6.1
6.4
HZS7
A1
6.3
6.6
5
1
3.5
15
5
A2
6.4
6.7
A3
6.6
6.9
B1
6.7
7.0
B2
6.9
7.2
B3
7.0
7.3
Note:
1. Tested with DC.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZS5B1 | 4.7 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| IBM0418A86LQKA-6 | 512K X 18 STANDARD SRAM, 3.5 ns, PQFP100 |
| IBM04364ARLAD-5N | 128K X 36 STANDARD SRAM, 5.5 ns, PBGA119 |
| IBM13N4649CC-10T | 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, DMA168 |
| IBM14P13724DPA-11 | 128K X 72 CACHE TAG SRAM MODULE, 11 ns, DMA182 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZS9C3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZS9L | 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:ZENER DIODES |
| HZS9L1 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
| HZS9L2 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
| HZS9L3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
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