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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HZS9C2 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 9.3 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| 封裝： | MHD, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | HZS9C2 |
HZS Series
6
Main Characteristic
Zener
Current
I
Z
(A)
Zener Voltage V
Z (V)
Fig.1 Zener current Vs. Zener voltage
05
10
15 20 25 30 35 40
50
40
30
20
10
0
–10
–20
–30
–40
–50
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
–0.02
–0.04
–0.06
–0.08
–0.10
%/°C
mV/°C
Fig.2 Temperature Coefficient Vs. Zener voltage
Fig.3 Power Dissipation Vs. Ambient Temperature
Zener Voltage V (V)
Zener
Voltage
Temperature
Coefficient
(%/°C)
z
γ
Z
Zener
Voltage
Temperature
Coefficient
(mV/°C)
zγ
5
10
15
20
25
30
35
40
10-2
10-3
10-4
10-5
10-6
10-7
10-8
0
HZS2B2
HZS9B2
HZS12B2
HZS16-2
HZS4B2 HZS6B2
HZS20-2
HZS24-2
HZS30-2
HZS36-2
500
400
300
200
100
200
150
100
50
0
Ambient Temperature Ta (°C)
Power
Dissipation
P
(mW)
d
0
2.5 mm
3 mm
Printed circuit board
100 180 1.6t mm
Quality: paper phenol
×
l
l=5 mm
l=10 mm
(Publication value)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZS5B1 | 4.7 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| IBM0418A86LQKA-6 | 512K X 18 STANDARD SRAM, 3.5 ns, PQFP100 |
| IBM04364ARLAD-5N | 128K X 36 STANDARD SRAM, 5.5 ns, PBGA119 |
| IBM13N4649CC-10T | 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, DMA168 |
| IBM14P13724DPA-11 | 128K X 72 CACHE TAG SRAM MODULE, 11 ns, DMA182 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZS9C3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply |
| HZS9L | 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:ZENER DIODES |
| HZS9L1 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
| HZS9L2 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
| HZS9L3 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application |
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