2SK3904(F)

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

2SK3904(F)
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
856420
TOSHIBA
原廠封裝
最新批號(hào)
-
代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨??！

2SK3904(F)
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
100
TOSHIBA
2011
-
公司現(xiàn)貨!只做原裝!

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制造商
Toshiba
功能描述
Nch 450V 19A 0.26@10V TO3P(N)
制造商
Toshiba
功能描述
Nch 450V 19A 0.26@10V TO3P(N) Bulk

2SK3904(F) 技術(shù)參數(shù)

2SK3892 功能描述:MOSFET N-CH 200V 22A TO-220D 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:62 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3177pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220D-A1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK3868(Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.7 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:550pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220SIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK3844(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:45A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:196nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:12400pF @ 10V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK3827 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:79nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4200pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK3826 功能描述:MOSFET N-CH 100V 26A TO-220 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:26A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2150pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK4065-DL-E 2SK4065-E 2SK4066-1E 2SK4066-DL-1E 2SK4066-DL-1EX 2SK4066-DL-E 2SK4066-E 2SK4073LS 2SK4084LS 2SK4085LS 2SK4085LS-1E 2SK4087LS 2SK4087LS-1E 2SK4088LS 2SK4088LS-1E 2SK4089LS 2SK4093TZ-E 2SK4094