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2SK4057-ZK-E2-AY

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  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
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  • 操作
  • 2SK4057-ZK-E2-AY
    2SK4057-ZK-E2-AY

    2SK4057-ZK-E2-AY

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • R

  • TO-252

  • 22+

  • -

  • 十年配單，只做原裝

  • 2SK4057-ZK-E2-AY
    2SK4057-ZK-E2-AY

    2SK4057-ZK-E2-AY

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TO-252

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條 
  • 1
2SK4057-ZK-E2-AY PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
2SK4057-ZK-E2-AY 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK4043LS 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A TO-220FI 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 10A，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:37nC @ 4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3000pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FI（LS） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK4037(TE12L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH PW-X 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:N 通道 頻率:470MHz 增益:11.5dB 電壓 - 測(cè)試:6V 額定電流:3A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:250mA 功率 - 輸出:36.5dBmW 電壓 - 額定:12V 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SC-70 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK4021(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD2 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:440pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應(yīng)商器件封裝:PW-MOLD2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2SK4017(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:730pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應(yīng)商器件封裝:PW-MOLD2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2SK4016(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 毫歐 @ 6.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3100pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220SIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK4073LS 2SK4084LS 2SK4085LS 2SK4085LS-1E 2SK4087LS 2SK4087LS-1E 2SK4088LS 2SK4088LS-1E 2SK4089LS 2SK4093TZ-E 2SK4094 2SK4094-1E 2SK4096LS 2SK4097LS 2SK4099LS 2SK4099LS-1E 2SK4116LS 2SK4117LS
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