AON6282 其他被動元件

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AON6282 其他被動元件技術(shù)參數(shù)

AON6282 功能描述:MOSFET N-CH 80V 26.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:26.5A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.6 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:51nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2848pF @ 40V 功率 - 最大值:7.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:3,000 AON6280 功能描述:MOSFET N-CH 80V 17A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.1 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:82nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3930pF @ 40V 功率 - 最大值:7.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:1 AON6278 功能描述:MOSFET N-CH 80V 34A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:34A（Ta）、 85A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:86nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4646pF @ 40V 功率 - 最大值:7.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:1 AON6276 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 80V 100A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:100nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4940pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:215W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線標準包裝:3,000 AON6270 功能描述:MOSFET N-CH 75V 85A DFN5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:31.5A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:85nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4100pF @ 37.5V 功率 - 最大值:7.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（5x6）標準包裝:1 AON6358 AON6360 AON6362 AON6366E AON6368 AON6368P AON6370 AON6370_001 AON6370_002 AON6370P AON6372 AON6380 AON6382 AON6384 AON6400 AON6400L_002 AON6403 AON6404