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APT-CC-VDW-R200-1015

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  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

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  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
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APT-CC-VDW-R200-1015 技術(shù)參數(shù)
  • APTC90TAM60TPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:59A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90SKM60T1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:59A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90SKM60CT1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:59A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:540nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:13600pF @ 100V FET 功能:超級(jí)結(jié) 功率耗散（最大值）:462W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90HM60T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:59A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90H12T2G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP2 供應(yīng)商器件封裝:SP2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTCV60HM45BC20T3G APTCV60HM45BT3G APTCV60HM45RCT3G APTCV60HM45RT3G APTCV60HM70BT3G APTCV60HM70RT3G APTCV60TLM24T3G APTCV60TLM45T3G APTCV60TLM70T3G APTCV60TLM99T3G APTCV90TL12T3G APTD1608CGCK APTD1608LCGCK APTD1608LQBC/D APTD1608LSECK/J3-PF APTD1608LSECK/J4-PF APTD1608LSURCK APTD1608LSYCK
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