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APT75GN60B2DQ3G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • APT75GN60B2DQ3G
    APT75GN60B2DQ3G

    APT75GN60B2DQ3G

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • Microsemi/美高森美

  • TO264

  • 22+

  • -

  • 十年配單，只做原裝

  • APT75GN60B2DQ3G
    APT75GN60B2DQ3G

    APT75GN60B2DQ3G

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Microsemi

  • TO264

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨！

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共11條 
  • 1
APT75GN60B2DQ3G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT 600V 155A 536W TO264
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 30
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
  • 1200V
  • Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）
  • 3V @ 15V，100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）
  • 200A
  • 功率 - 最大
  • 830W
  • 輸入類型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • PLUS247?-3
  • 包裝
  • 管件
APT75GN60B2DQ3G 技術(shù)參數(shù)
  • APT75GN120LG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):225A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 功率 - 最大值:833W 開(kāi)關(guān)能量:8620μJ（開(kāi)），11400μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:425nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:60ns/620ns 測(cè)試條件:800V，75A，1 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75GN120JDQ3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:124A 功率 - 最大值:379W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4.8nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT75GN120JDQ3 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:124A 功率 - 最大值:379W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4.8nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75GN120J 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:124A 功率 - 最大值:379W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4.8nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT75GN120B2G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):225A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 功率 - 最大值:833W 開(kāi)關(guān)能量:8045μJ（開(kāi)），7640μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:425nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:60ns/620ns 測(cè)試條件:800V，75A，1 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75M50L APT77N60BC6 APT77N60JC3 APT77N60SC6 APT7F100B APT7F120B APT7F80K APT7M120B APT7M120S APT8014JLL APT8018JN APT8020B2LLG APT8020JLL APT8020LFLLG APT8024B2LLG APT8024JLL APT8024LFLLG APT8024LLLG
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