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APT75GP120JDQ3MI

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  • APT75GP120JDQ3MI
    APT75GP120JDQ3MI

    APT75GP120JDQ3MI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

  • 5000

  • Microsemi

  • SOT-227

  • 11+

  • -
  • 100%進(jìn)口原裝正品,只做原裝

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APT75GP120JDQ3MI 技術(shù)參數(shù)
  • APT75GP120JDQ3 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 128A 543W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.9V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):1.25mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):7.04nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75GP120J 功能描述:IGBT Module PT Single 1200V 128A 543W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):128A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.9V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):7.04nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75GP120B2G 功能描述:IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):300A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.9V @ 15V,75A 功率 - 最大值:1042W 開關(guān)能量:1620μJ(開),2500μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:320nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:20ns/163ns 測(cè)試條件:600V,75A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75GN60LDQ3G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):155A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):225A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):1.85V @ 15V,75A 功率 - 最大值:536W 開關(guān)能量:2500μJ(開),2140μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:485nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:47ns/385ns 測(cè)試條件:400V,75A,1 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75GN60BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):155A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):225A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):1.85V @ 15V,75A 功率 - 最大值:536W 開關(guān)能量:2500μJ(開),2140μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:485nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:47ns/385ns 測(cè)試條件:400V,75A,1 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT7F120B APT7F80K APT7M120B APT7M120S APT8014JLL APT8018JN APT8020B2LLG APT8020JLL APT8020LFLLG APT8024B2LLG APT8024JLL APT8024LFLLG APT8024LLLG APT8075BN APT80F60J APT80GA60B APT80GA60LD40 APT80GA90B
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