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APTCB3216-02

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  • APTCB3216-02
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯(lián)系人:李林

    電話:0755-8251939113714584659李先生(可開13%增票,3

    地址:深圳市福田區(qū)華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 15862

  • Kingbright

  • SMD-LE..

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  • 全新原裝正品現(xiàn)貨熱賣

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • LED

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  • APTCB3216-02
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  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人:銷售部:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關(guān)村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 270000

  • KINGBRIGHT

  • SMDLED

  • 23+

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  • APTCB3216-02
    APTCB3216-02

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  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 11630

  • Kingbrigh

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  • 原裝正品,優(yōu)勢供應(yīng)

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APTCB3216-02 技術(shù)參數(shù)
  • APTC90TAM60TPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:超級結(jié) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):59A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):540nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90SKM60T1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:超級結(jié) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):59A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):540nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90SKM60CT1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):59A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):540nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):13600pF @ 100V FET 功能:超級結(jié) 功率耗散(最大值):462W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 52A、 10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90HM60T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:超級結(jié) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):59A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):540nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90H12T2G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:超級結(jié) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 26A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP2 供應(yīng)商器件封裝:SP2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTCV60HM45BC20T3G APTCV60HM45BT3G APTCV60HM45RCT3G APTCV60HM45RT3G APTCV60HM70BT3G APTCV60HM70RT3G APTCV60TLM24T3G APTCV60TLM45T3G APTCV60TLM70T3G APTCV60TLM99T3G APTCV90TL12T3G APTD1608CGCK APTD1608LCGCK APTD1608LQBC/D APTD1608LSECK/J3-PF APTD1608LSECK/J4-PF APTD1608LSURCK APTD1608LSYCK
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