BSO752T

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說明
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BSO752T
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
INFINEON
SOP8
04+
-
假一罰十，百分百原裝正品

BSO752T
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯(lián)系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知
3000
INFINEON
SOP8
2012+
-
只做原裝正品

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1

您是不是要找： BSOF3S3E-010.0M BSP 51 E6327 BSP 52 E6327 BSP 60 E6433 BSP030,115 BSP100,135 BSP110,115 BSP122,115 BSP123E6327T

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BSO752T 技術參數

BSO615NGHUMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 2.6A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 基本零件編號:BSO615 標準包裝:1 BSO615N G 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 2.6A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO615N 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 2.6A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO615CT 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.1A，2A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 3.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO615CGHUMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.1A，2A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 3.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 基本零件編號:BSO615 標準包裝:1 BSP123L6327HTSA1 BSP125 E6327 BSP125 E6433 BSP125H6327XTSA1 BSP125H6433XTMA1 BSP125L6327HTSA1 BSP125L6433HTMA1 BSP126,115 BSP126,135 BSP129E6327 BSP129E6327T BSP129H6327XTSA1 BSP129H6906XTSA1 BSP129L6327HTSA1 BSP129L6906HTSA1 BSP130,115 BSP135 E6327 BSP135 E6906