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BSS123LT1G-CUT TAPE

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BSS123LT1G-CUT TAPE 技術(shù)參數(shù)
  • BSS123LT1G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 100mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:20pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3（TO-236） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS123LT1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 100mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:20pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3（TO-236） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSS123L7874XT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:69pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS123L6433HTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:69pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS123L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:69pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS123WQ-7-F BSS-125-01-C-D-A BSS-125-01-F-D BSS-125-01-F-D-A BSS-125-01-H-D BSS-125-01-H-D-A BSS-125-01-L-D BSS-125-01-L-D-A BSS-125-01-L-D-A-TR BSS126 E6327 BSS126 E6906 BSS126 H6327 BSS126 H6906 BSS126H6327XTSA1 BSS126H6327XTSA2 BSS126H6906XTSA1 BSS126L6327HTSA1 BSS126L6906HTSA1
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