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BSS149

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSS149
    BSS149

    BSS149

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • INFINEON

  • TO-92

  • 02+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • BSS149
    BSS149

    BSS149

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Siemens

  • TO-92

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • BSS149
    BSS149

    BSS149

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 231000

  • SIE

  • TO-92

  • 2024+

  • -

  • 一級代理商原裝現(xiàn)貨

  • BSS149
    BSS149

    BSS149

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G

  • 8685

  • SIEMENS

  • TO-92

  • 03+

  • -

  • 絕對公司原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
BSS149 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全稱
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)
BSS149 技術(shù)參數(shù)
  • BSS139L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 歐姆 @ 0.1mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 56μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:76pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS139L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 歐姆 @ 0.1mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 56μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:76pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS139H6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):有效 標準包裝:3,000 BSS139H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 56μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.5nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:76pF @ 25V FET 功能:耗盡模式 功率耗散（最大值）:360mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 歐姆 @ 100μA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSS139 H6327 功能描述:MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 歐姆 @ 100μA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 56μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:76pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS-150-01-L-D-LC BSS159N E6327 BSS159N E6906 BSS159N H6327 BSS159N H6906 BSS159NH6327XTSA1 BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6906XTSA1 BSS159NL6327HTSA1 BSS159NL6906HTSA1 BSS169 E6327 BSS169 E6906 BSS169H6327XTSA1 BSS169H6906XTSA1 BSS169L6327HTSA1 BSS169L6906HTSA1 BSS192,115 BSS192,135
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