CSD2410-10

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

CSD2410-10
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
50000
CRYDOM
Standard
2024+
-
保證原裝現(xiàn)貨

CSD2410-10
深圳市特瑞斯科技有限公司
深圳市特瑞斯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8277481983249326
地址：銷售一部：華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)501棟401室銷售二部：深圳市福田區(qū)紅荔路上航大廈411室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
9260
CRYDOM
繼電器
20+
-
大量繼電器，現(xiàn)貨供應(yīng)！

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CSD2410-10 技術(shù)參數(shù)

CSD2410 功能描述:Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) Hockey Puck 制造商:crydom co. 系列:CS 包裝:散裝零件狀態(tài):過期電路:SPST-NO（1 A 形）輸出類型:AC，過零導(dǎo)通電阻（最大值）:- 負(fù)載電流:10A 電壓 - 輸入:3.5 ~ 15VDC 電壓 - 負(fù)載:24 ~ 280 V 安裝類型:底座安裝或面板安裝端子類型:螺絲端子封裝/外殼:Hockey Puck 供應(yīng)商器件封裝:- 繼電器類型:繼電器標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 CSD23382F4T 功能描述:MOSFET P-CH 12V 22A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:76 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.35nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:235pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD23382F4 功能描述:MOSFET P-CH 12V 22A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:76 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.35nC @ 6V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:235pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD23381F4T 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:175 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.14nC @ 6V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:236pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD23381F4 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:175 毫歐 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.14nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:236pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD24248SS CSD2425 CSD2425-10 CSD2425F CSD2425P CSD24308 CSD2440 CSD2450 CSD2475 CSD2490 CSD25201W15 CSD25202W15 CSD25202W15T CSD25211W1015 CSD25213W10 CSD25301W1015 CSD25302Q2 CSD25303W1015