CSD2T0S-N1

配單專家企業(yè)名單

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封裝
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價格
說明
操作

CSD2T0S-N1
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
LUCENT
QFP
10+
-
百分百原裝正品，質量保障價格及優(yōu)

CSD2T0S-N1
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9800
QFP
18+
-
優(yōu)勢庫存，原裝現(xiàn)貨

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CSD2T0S-N1 技術參數(shù)

CSD25501F3T 功能描述:20-V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.6A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.05V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.33nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:385pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:76 毫歐 @ 400mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:3-LGA（0.73x0.64）封裝/外殼:3-XFLGA 標準包裝:1 CSD25485F5 功能描述:20V P-CHANNEL FEMTOFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:533pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 900mA，8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 CSD25484F4T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:94 毫歐 @ 500mA，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.14nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:230pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD25484F4 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.42nC @ 4.5V Vgs（最大值）:-12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:94 毫歐 @ 500mA，8V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 CSD25483F4T 功能描述:MOSFET P-CH 20V LGA 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:205 毫歐 @ 500mA，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.96nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:198pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD36 CSD36248 CSD363012 CSD36308 CSD36368 CSD41V CSD4315A.A0-900035 CSD43301Q5M CSD44V CSD46V CSD4-7152/39-26-1A CSD4-7152/39-26-3A CSD4-7152/39-26-4A CSD4-7152/39-26-5A CSD4-7152/39-26-7A CSD4-7152/39-29-5B CSD4PC CSD56