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PDTA114YE,115

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • PDTA114YE,115
    PDTA114YE,115

    PDTA114YE,115

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NXP

  • 原廠原裝

  • 07+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • PDTA114YE,115
    PDTA114YE,115

    PDTA114YE,115

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • NXP

  • 22+

  • -

  • 原裝正品

  • PDTA114YE,115
    PDTA114YE,115

    PDTA114YE,115

  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人：柯先生/趙小姐

    電話：0755-83665813

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907 門市部：中航路都會(huì)電子3C002B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 54000

  • NXP

  • N/A

  • -

  • 低至：￥0.101[國外訂貨]

  • 1/1頁 40條/頁 共16條 
  • 1
PDTA114YE,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP W/RES 50V
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 配置
  • 晶體管極性
  • NPN/PNP
  • 典型輸入電阻器
  • 典型電阻器比率
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 200 mA
  • 最大工作頻率
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 50 V
  • 集電極連續(xù)電流
  • 150 mA
  • 峰值直流集電極電流
  • 功率耗散
  • 200 mW
  • 最大工作溫度
  • 封裝
  • Reel
PDTA114YE,115 技術(shù)參數(shù)
  • PDTA114TU,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA114TT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA114TM,315 功能描述:TRANS PNP W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 kOhms 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號(hào):PDTA114 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA114TK,135 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SMT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA114TEF,115 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SC89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發(fā)射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應(yīng)商器件封裝:SC-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA115EK,115 PDTA115EM,315 PDTA115EMB,315 PDTA115ES,126 PDTA115ET,215 PDTA115EU,115 PDTA115TE,115 PDTA115TK,115 PDTA115TM,315 PDTA115TMB,315 PDTA115TS,126 PDTA115TT,215 PDTA115TU,115 PDTA123EE,115 PDTA123EK,115 PDTA123EM,315 PDTA123EMB,315 PDTA123ES,126
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