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STGB19NC60S

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
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  • STGB19NC60S
    STGB19NC60S

    STGB19NC60S

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話(huà):1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • ST

  • D2PAK

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • STGB19NC60S
    STGB19NC60S

    STGB19NC60S

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話(huà):0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ST

  • D2PAK

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 代理此型號(hào),原裝正品現(xiàn)貨!

  • STGB19NC60S
    STGB19NC60S

    STGB19NC60S

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話(huà):1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 18378

  • ST/意法

  • D2PAK

  • 22+

  • -
  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共4條 
  • 1
STGB19NC60S PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
STGB19NC60S 技術(shù)參數(shù)
  • STGB19NC60KT4 功能描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.75V @ 15V,12A 功率 - 最大值:125W 開(kāi)關(guān)能量:165μJ(開(kāi)),255μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:55nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:30ns/105ns 測(cè)試條件:480V,12A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB19NC60KDT4 功能描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.75V @ 15V,12A 功率 - 最大值:125W 開(kāi)關(guān)能量:165μJ(開(kāi)),255μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:55nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:30ns/105ns 測(cè)試條件:480V,12A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):31ns 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB19NC60HDT4 功能描述:IGBT 600V 40A 130W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.5V @ 15V,12A 功率 - 最大值:130W 開(kāi)關(guān)能量:85μJ(開(kāi)),189μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:53nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:25ns/97ns 測(cè)試條件:390V,12A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):31ns 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB18N40LZT4 功能描述:IGBT 420V 30A 150W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):420V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):1.7V @ 4.5V,10A 功率 - 最大值:150W 開(kāi)關(guān)能量:- 輸入類(lèi)型:邏輯 柵極電荷:29nc 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:650ns/13.5μs 測(cè)試條件:300V,10A,5V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB15M65DF2 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2V @ 15V,15A 功率 - 最大值:136W 開(kāi)關(guān)能量:90μJ(開(kāi)),450μJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:45nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:24ns/93ns 測(cè)試條件:400V,15A,12 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):142ns 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB20NC60V STGB20NC60VT4 STGB20V60DF STGB20V60F STGB25N40LZAG STGB30H60DF STGB30H60DFB STGB30H60DLFB STGB30M65DF2 STGB30NC60KT4 STGB30NC60WT4 STGB30V60DF STGB30V60F STGB35N35LZ-1 STGB35N35LZT4 STGB3HF60HD STGB3NB60FDT4 STGB3NB60KDT4
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