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STGB20NB32LZ-1

配單專家企業(yè)名單
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  • STGB20NB32LZ-1
    STGB20NB32LZ-1

    STGB20NB32LZ-1

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • 原廠原裝

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • STGB20NB32LZ-1
    STGB20NB32LZ-1

    STGB20NB32LZ-1

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • TO220

  • 08+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • STGB20NB32LZ-1
    STGB20NB32LZ-1

    STGB20NB32LZ-1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ST

  • TO220MONOC..

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理，原裝正品現(xiàn)貨??！

  • STGB20NB32LZ-1
    STGB20NB32LZ-1

    STGB20NB32LZ-1

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 9600

  • TO 220 MONOC. .

  • ST

  • 17+

  • -

  • 原裝正品。優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共9條 
  • 1
STGB20NB32LZ-1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • IGBT SMD 350V 20A I2-PAK
STGB20NB32LZ-1 技術(shù)參數(shù)
  • STGB20NB32LZ 功能描述:IGBT 375V 40A 150W I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:375V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 4.5V，20A 功率 - 最大值:150W 開關(guān)能量:11.8mJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:51nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:2.3μs/11.5μs 測(cè)試條件:250V，20A，1 千歐，4.5V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 STGB20N45LZAG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.25V @ 4V，6A 功率 - 最大值:150W 開關(guān)能量:- 輸入類型:邏輯 柵極電荷:26nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:1.1μs/4.6μs 測(cè)試條件:300V，10A，1 千歐，5V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB20N40LZ 功能描述:IGBT 390V 25A 150W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:390V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.6V @ 4V，6A 功率 - 最大值:150W 開關(guān)能量:- 輸入類型:邏輯 柵極電荷:24nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:700ns/4.3μs 測(cè)試條件:300V，10A，1 千歐，5V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB20H60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關(guān)能量:209μJ（開），261μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:115nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:42.5ns/177ns 測(cè)試條件:400V，20A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:90ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB19NC60WT4 功能描述:IGBT 600V 40A 130W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):- 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，12A 功率 - 最大值:130W 開關(guān)能量:81μJ（開），125μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:53nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:25ns/90ns 測(cè)試條件:390V，12A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB30H60DFB STGB30H60DLFB STGB30M65DF2 STGB30NC60KT4 STGB30NC60WT4 STGB30V60DF STGB30V60F STGB35N35LZ-1 STGB35N35LZT4 STGB3HF60HD STGB3NB60FDT4 STGB3NB60KDT4 STGB3NB60SDT4 STGB3NC120HDT4 STGB40H65FB STGB40V60F STGB4M65DF2 STGB5H60DF
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