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BSS139

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  • BSS139H6327XTSA1
    BSS139H6327XTSA1

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  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

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    電話:0755-83014603

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  • BSS139H6327
    BSS139H6327

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  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯(lián)系人:胡慶偉

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    地址:深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號 富源商貿(mào)中心D棟601

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N SOT-23
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET, N, SOT-23
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N CHANNEL MOSFET, SIPMOS, DEPLETION MODE, 250V, 0.1A, SOT-23; Transistor Polarity
BSS139 技術(shù)參數(shù)
  • BSS138W-TP 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):220mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):27pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):300mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 220mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 155°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138WH6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):280mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):43pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BSS138WH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):280mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):43pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138W-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 220mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138W-7 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 220mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS-150-01-F-D-A BSS-150-01-F-D-EM2 BSS-150-01-H-D BSS-150-01-H-D-A BSS-150-01-L-D BSS-150-01-L-D-A BSS-150-01-L-D-EM2 BSS-150-01-L-D-LC BSS159N E6327 BSS159N E6906 BSS159N H6327 BSS159N H6906 BSS159NH6327XTSA1 BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6906XTSA1 BSS159NL6327HTSA1 BSS159NL6906HTSA1 BSS169 E6327
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