參數(shù)資料
型號: ICS3726M-02LFT
廠商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件頁數(shù): 5/8頁
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描述: IC VCXO HI PERF 8-SOIC
標準包裝: 2,500
類型: 壓控晶體振蕩器(VCXO)
PLL:
輸入: 晶體
輸出: LVCMOS
電路數(shù): 1
比率 - 輸入:輸出: 2:1
差分 - 輸入:輸出: 無/無
頻率 - 最大: 36MHz
除法器/乘法器: 無/無
電源電壓: 3.135 V ~ 3.465 V
工作溫度: 0°C ~ 70°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOIC
包裝: 帶卷 (TR)
其它名稱: 3726M-02LFT
ICS3726-02
HIGH PERFORMANCE VCXO
VCXO
IDT / ICS HIGH PERFORMANCE VCXO
5
ICS3726-02
REV C 030706
DC Electrical Characteristics
VDD=3.3 V ±5% , Ambient temperature 0 to +70
°C, unless stated otherwise
AC Electrical Characteristics
VDD = 3.3 V ±5%, Ambient Temperature 0 to +70
° C, unless stated otherwise
Note 1: External crystal device must conform with Pullable Crystal Specifications listed on page 3.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Operating Voltage
VDD
3.135
3.465
V
Output High Voltage
VOH
IOH = -12 mA
2.4
V
Output Low Voltage
VOL
IOL = 12 mA
0.4
V
Output High Voltage (CMOS
Level)
VOH
IOH = -4 mA
VDD-0.4
V
Operating Supply Current
IDD
No load
6
mA
Short Circuit Current
IOS
±50
mA
VIN, VCXO Control Voltage
VIA
03.3
V
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Output Frequency
FO
24
36
MHz
Crystal Pullability
FP
0V< VIN < 3.3 V, Note 1
+ 115
ppm
VCXO Gain
VIN = VDD/2 + 1 V, Note 1
150
ppm/V
Output Rise Time
tOR
0.8 to 2.0 V, CL=15 pF
0.5
1.5
ns
Output Fall Time
tOF
2.0 to 0.8 V, CL=15 pF
0.6
1.5
ns
Output Clock Duty Cycle
tD
Measured at 1.4 V, CL=15 pF
40
50
60
%
Period Jitter RMS
tJ
CL=15 pF @35.328 MHz
8
ps
Period Jitter P- P
tJ
CL=15 pF@35.328 MHz
90
ps
Integrated Jitter RMS
Integrated 12 kHz to 20 MHz
@ 35.328 MHz
1ps
Phase Noise relative to
Carrier
@35.328 MHz Carrier
frequency
@10 Hz
-60
dBc/Hz
@100 Hz
-88
dBc/Hz
@1 kHz
-117
dBc/Hz
@10 kHz
-135
dBc/Hz
@100 kHz
-150
dBc/Hz
@1 MHz
-145
dBc/Hz
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PDF描述
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