參數(shù)資料
型號(hào)： IDB23E60
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast Switching EmCon Diode
中文描述： 快速開關(guān)快恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 201K
代理商： IDB23E60
2003-07-31
Rev.2
Page 5
IDP23E60
IDB23E60
5 Typ. reverse recovery time
t
rr
=
f
(d
i
F
/d
t
)
parameter:
V
R
= 400V,
T
j
= 125°C
200
300
400
500
600
700
800
A/μs
1000
d
i
F
/d
t
100
150
200
250
300
350
400
ns
500
t
r
46A
23A
11.5A
6 Typ. reverse recovery charge
Q
rr
=
f
(d
i
F
/d
t
)
parameter:
V
R
= 400V,
T
j
= 125 °C
200
300
400
500
600
700
800
A/μs
1000
d
i
F
/d
t
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
nC
2100
Q
r
11.5A
23A
46A
7 Typ. reverse recovery current
I
rr
=
f
(d
i
F
/d
t
)
parameter:
V
R
= 400V,
T
j
= 125°C
200
300
400
500
600
700
800
A/μs
1000
d
i
F
/d
t
4
6
8
10
12
14
16
18
20
A
24
I
r
46A
23A
11.5A
8 Typ. reverse recovery softness factor
S = f(d
i
F
/d
t
)
parameter:
V
R
= 400V,
T
j
= 125°C
200
300
400
500
600
700
800
A/μs
1000
d
i
F
/d
t
3
4
5
6
7
8
9
10
11
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S
46A
23A
11.5A
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