參數(shù)資料
型號(hào)： IDT7024S25JB
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 600V N-Channel SuperFET; Package: TO-220F; No of Pins: 3; Container: Rail
中文描述： 4K X 16 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQCC84
封裝： PLASTIC, LCC-84
文件頁(yè)數(shù)： 9/20頁(yè)
文件大?。?/td> 292K
代理商： IDT7024S25JB
IDT7024S/L
HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
6.15
9
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE
(5)
IDT7024X15
Com'l. Only
Min.
IDT7024X17
Com'l. Only
Min.
IDT7024X20
IDT7024X25
Symbol
WRITE CYCLE
t
WC
t
EW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
HZ
t
DH
t
WZ
t
OW
t
SWRD
t
SPS
Parameter
Max.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Write Cycle Time
Chip Enable to End-of-Write
(3)
Address Valid to End-of-Write
Address Set-up Time
(3)
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
Output High-Z Time
(1, 2)
Data Hold Time
(4)
Write Enable to Output in High-Z
(1, 2)
Output Active from End-of-Write
(1, 2, 4)
SEM
Flag Write to Read Time
SEM
Flag Contention Window
15
12
12
0
12
0
10
—
0
—
0
5
5
—
—
—
—
—
—
—
10
—
10
—
—
—
17
12
12
0
12
0
10
—
0
—
0
5
5
—
—
—
—
—
—
—
10
—
10
—
—
—
20
15
15
0
15
0
15
—
0
—
0
5
5
—
—
—
—
—
—
—
12
—
12
—
—
—
25
20
20
0
20
0
15
—
0
—
0
5
5
—
—
—
—
—
—
—
15
—
15
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
IDT7024X35
IDT7024X55
IDT7024X70
Mil. Only
Min.
Symbol
WRITE CYCLE
t
WC
t
EW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Max.
Unit
Write Cycle Time
Chip Enable to End-of-Write
(3)
Address Valid to End-of-Write
Address Set-up Time
(3)
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
Output High-Z Time
(1, 2)
Data Hold Time
(4)
Write Enable to Output in High-Z
(1, 2)
Output Active from End-of-Write
(1, 2, 4)
35
30
30
0
25
0
15
—
—
—
—
—
—
—
55
45
45
0
40
0
30
—
—
—
—
—
—
—
70
50
50
0
50
0
40
—
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
HZ
—
15
—
25
—
30
ns
t
DH
t
WZ
0
—
—
15
0
—
—
25
0
—
—
30
ns
ns
t
OW
0
—
0
—
0
—
ns
t
SWRD
t
SPS
SEM
Flag Write to Read Time
SEM
Flag Contention Window
5
5
—
—
5
5
—
—
5
5
—
—
ns
ns
NOTES:
1. Transition is measured
±
500mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM,
CE
= V
IL
,
UB
or
LB
= V
IL
,
SEM
= V
IH
. To access semaphore,
CE
= V
IH
or
UB
&
LB
= V
IH
, and
SEM
= V
IL
. Either condition must be valid
for the entire t
EW
time.
4. The specification for t
DH
must be met by the device supplying write data to the RAM under all operating conditions. Although t
DH
and t
OW
values will vary
over voltage and temperature, the actual t
DH
will always be smaller than the actual t
OW
.
5. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
2740 tbl 14
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7024S25PF 600V N-Channel MOSFET; Package: TO-251(IPAK); No of Pins: 3; Container: Rail
IDT7024S25PFB 600V N-Channel MOSFET; Package: TO-251(IPAK); No of Pins: 3; Container: Rail
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IDT7024L20F HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7024L20FB HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
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參數(shù)描述
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IDT7024S30J 功能描述:IC SRAM 64KBIT 30NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT7024S30J8 功能描述:IC SRAM 64KBIT 30NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT7024S35FB 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 64KBIT 35NS 84FLATPAK
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