參數(shù)資料
型號： IDT7025L25GB
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 150V N-Channel MOSFET
中文描述： 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, CPGA84
封裝： CERAMIC, PGA-84
文件頁數(shù)： 13/20頁
文件大?。?/td> 294K
代理商： IDT7025L25GB
IDT7025S/L
HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
6.16
13
TIMING WAVEFORM OF WRITE PORT-TO-PORT READ AND
BUSY
(M/
S
= V
IH
)
(2,4,5)
2683 drw 13
t
DW
t
APS
ADDR
"A"
t
WC
DATA
OUT "B"
MATCH
t
WP
R/
W
"A"
DATA
IN "A"
ADDR
"B"
t
DH
VALID
(1)
MATCH
BUSY
"B"
t
BDA
VALID
t
BDD
t
DDD(3)
t
WDD
t
BAA
TIMING WAVEFORM OF WRITE WITH
BUSY
NOTES:
1. t
WH
must be met for both
BUSY
input (slave) output master.
2. Busy is asserted on port "B" Blocking R/
W
"B"
, until
BUSY
"B"
goes High.
3. t
WB
is only for the 'Slave' Version
.
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t
APS
is ignored for M/
S
= V
IL
(slave).
2.
CE
L
=
CE
R
= V
IL
.
3.
OE
= V
IL
for the reading port.
4. If M/
S
= V
IL
(slave),
BUSY
is an input. Then for this example
BUSY
"A"
= V
IH
and
BUSY
"B"
input is shown above.
5. All timing is the same for left and right ports. Port "A" may be either the left of right port. Port "B" is the opposite Port from Port "A".
2683 drw 14
R/
W
"A"
BUSY
"B"
t
WP
t
WB
R/
W
"B"
t
WH
(2)
(3)
(1)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7025L25J 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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IDT7025L25PFB 250V N-Channel MOSFET; ; No of Pins: 3; Container: Rail
IDT7025S 280V N-Channel MOSFET; ; No of Pins: 3; Container: Rail
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參數(shù)描述
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