參數(shù)資料
型號： IDT7025S15J
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： Discrete Automotive N-Channel PowerTrench MOSFET, 60V, 80A, 0.0035 Ohms @ VGS = 10V, TO-263/D2PAK Package
中文描述： 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQCC84
封裝： PLASTIC, LCC-84
文件頁數(shù)： 6/20頁
文件大?。?/td> 294K
代理商： IDT7025S15J
6.16
6
IDT7025S/L
HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(1)
(Cont'd.)
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
7025X35
7025X55
7025X70
Mil. Only
Test
Symbol
I
CC
Parameter
Condition
Version
MIL.
Typ.
(2)
150
150
150
150
13
13
13
13
85
85
85
85
1.0
0.2
1.0
0.2
Max.
300
250
250
210
80
65
60
50
190
160
155
130
30
10
15
5
Typ.
(2)
150
150
150
150
13
13
13
13
85
85
85
85
1.0
0.2
1.0
0.2
Max. Typ.
(2)
300
250
250
210
80
65
60
50
190
160
155
130
30
10
15
5
Max. Unit
300
250
—
—
80
65
—
—
190
160
—
—
30
10
—
—
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
CE
= V
IL
, Outputs Open
SEM
= V
IH
f = f
MAX(3)
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
140
140
—
—
10
10
—
—
80
80
—
—
1.0
0.2
—
—
mA
COM’L.
I
SB1
Standby Current
(Both Ports — TTL
Level Inputs)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
MAX(3)
MIL.
mA
COM’L.
I
SB2
Standby Current
(One Port — TTL
Level Inputs)
CE
"A"
=V
IL and
CE
"B"
=V
IH(5)
Active Port Outputs Open
f = f
MAX(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
Both Ports
CE
L
and
CE
R
> V
CC
- 0.2V
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V, f = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
> V
CC
- 0.2V
CE
"A"
< 0.2 and
CE
"B"
> V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
> V
CC
- 0.2V
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V,
Active Port Outputs Open,
f = f
MAX(3)
MIL.
mA
COM’L.
I
SB3
Full Standby Current
(Both Ports — All
CMOS Level Inputs)
MIL.
mA
COM’L.
I
SB4
Full Standby Current
(One Port — All
CMOS Level Inputs)
MIL.
S
L
80
80
175
150
80
80
175
150
75
75
175
150
mA
COM’L.
S
L
80
80
135
110
80
80
135
110
—
—
—
—
NOTES:
1. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
2. V
CC
= 5V, T
A
= +25
°
C, and are not production tested.
3. At f = f
MAX
,
address and I/O'
S
are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/tRC, and using “AC Test Conditions” of input levels of GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
DATA RETENTION CHARACTERISTICS OVER ALL TEMPERATURE RANGES (L Version Only)
(V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V)
(4)
2683 tbl 10
DATA RETENTION MODE
V
CC
CE
2683 drw 05
4.5V
t
CDR
t
R
V
IH
V
DR
V
IH
4.5V
V
DR
2V
≥
DATA RETENTION WAVEFORM
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
(1)
Max.
Unit
V
DR
I
CCDR
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
V
CC
= 2V
CE
> V
HC
V
IN
> V
HC
or
<
V
LC
SEM
> V
HC
2.0
—
—
0
t
RC(2)
—
100
100
—
—
—
V
μ
A
MIL.
COM’L.
4000
1500
—
—
t
CDR(3)
t
R(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
ns
ns
NOTES:
1. T
A
= +25
°
C, V
CC
= 2V, and are by characterization but are not production tested.
2. t
RC
= Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed by device characterization but are not production tested.
4
.
At Vcc < 2.0V, input leakages are not defined.
2683 tbl 11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7025S15JB 75V N-Channel PowerTrench MOSFET; Package: TO-263(D2PAK); No of Pins: 2; Container: Tape &amp; Reel
IDT7025S15PF 75V N-Channel PowerTrench MOSFET
IDT7025S15PFB 100V N-Channel PowerTrench MOSFET; Package: TO-263(D2PAK); No of Pins: 3; Container: Tape &amp; Reel
IDT7025S17F Discrete Automotive N-Channel PowerTrench MOSFET, 60V, 80A, 5mOhms, TO-263AB; Package: TO-263(D2PAK); No of Pins: 2; Container: Tape &amp; Reel
IDT7025S17FB Discrete Automotive N-Channel PowerTrench MOSFET, 60V, 80A, 5mOhms, TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT7025S15J8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 15NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT7025S15PF 功能描述:IC SRAM 128KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
IDT7025S15PF8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT7025S17G 功能描述:IC SRAM 128KBIT 17NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT7025S17J 功能描述:IC SRAM 128KBIT 17NS 84PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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