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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70261L |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| 中文描述： | 高速16K的× 16 DUAL-PORT靜態(tài)RAM的中斷 |
| 文件頁數(shù)： | 2/19頁 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | IDT70261L |
6.42
IDT70261S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt Industrial and Commercial Temperature Ranges
!
"
NOTES:
1. All V
CC
pins must be connected to power supply.
2. All GND pins must be connected to ground supply.
3. Package body is approximately 14mmx 14mmx 1.4mm
4. This package code is used to reference the package diagram
5. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
#
The IDT70261 is a high-speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM. The
IDT70261 is designed to be used as a stand-alone Dual-Port RAMor as
a combination MASTER/SLAVE Dual-Port RAMfor 32-bit-or-more word
systems. Using the IDT MASTER/SLAVE Dual-Port RAMapproach in 32-
bit or wider memory systemapplications results in full-speed, error-free
operation without the need for additional discrete logic.
This device provides two independent ports with separate control,
address, and I/O pins that permt independent, asynchronous access for
reads or writes to any location in memory. An automatic power down
feature controlled by
CE
permts the on-chip circuitry of each port to enter
a very low standby power mode.
Fabricated using IDT’s CMOS high-performance technology, these
devices typically operate on only 750mW of power.
The IDT70261 is packaged in a 100-pin TQFP.
Index
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100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
N/C
N/C
N/C
N/C
I/O
10L
I/O
11L
I/O
12L
I/O
13L
GND
I/O
14L
I/O
15L
V
CC
GND
I/O
0R
I/O
1R
I/O
2R
V
CC
I/O
3R
I/O
4R
I/O
5R
I/O
6R
N/C
N/C
N/C
N/C
3039 drw 02
N/C
N/C
N/C
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
L
GND
M/
R
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
N/C
N/C
N/C
L
I
9
I
8
I
7
I
6
I
5
I
4
I
3
I
2
G
I
1
I
0
L
V
C
R
L
L
L
L
L
A
1
A
1
A
1
A
9
A
8
A
7
I
7
I
8
I
9
I
1
I
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I
1
I
1
I
1
G
I
1
R
R
R
R
R
R
R
G
A
1
A
1
A
1
A
9
A
8
A
7
A
6
A
1
A
1
IDT70261PF
PN100-1
100-Pin TQFP
Top View
(5)
,
Left Port
Right Port
Names
L
R
Chip Enable
R/
L
R/
R
Read/Write Enable
L
R
Output Enable
A
0L
- A
13L
A
0R
- A
13R
Address
I/O
0L
- I/O
15L
I/O
0R
- I/O
15R
Data Input/Output
L
R
Semaphore Enable
L
R
Upper Byte Select
L
R
Lower Byte Select
L
R
Interrupt Flag
L
R
Busy Flag
M/
Master or Slave Select
V
CC
Power
GND
Ground
3039 tbl 01
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70261L20PF | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
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| IDT70261L35PF | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IDT70261L15PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70261L15PFG | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70261L15PFG8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70261L20PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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