參數(shù)資料
型號： IDT70261L
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
中文描述： 高速16K的× 16 DUAL-PORT靜態(tài)RAM的中斷
文件頁數(shù)： 9/19頁
文件大?。?/td> 171K
代理商： IDT70261L
6.42
IDT70261S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt Industrial and Commercial Temperature Ranges
'131*"60
W
('
5>!
NOTES:
1. R/
W
or
CE
or
UB
and
LB
= V
IH
during all address transitions.
2. A write occurs during the overlap (t
EW
or t
WP
) of a
CE
= V
IL
and a R/
W
= V
IL
for memory array writing cycle.
3. t
WR
is measured fromthe earlier of
CE
or R/
W
(or
SEM
or R/
W
) going V
IH
to the end of write cycle.
4. During this period, the I/O pins are in the output state and input signals must not be applied.
5. If the
CE
or
SEM
= V
IL
transition occurs simultaneously with or after the R/
W
= V
IL
transition, the outputs remain in the High-impedance state.
6. Timng depends on which enable signal is asserted last,
CE
or R/
W
.
7. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested. Transition is measured 0mV fromsteady state with the Output Test Load (Figure
2).
8. If
OE
= V
IL
during R/
W
controlled write cycle, the write pulse width must be the larger of t
WP
or (t
WZ
+ t
DW
) to allow the I/O drivers to turn off and data to be
placed on the bus for the required t
DW
. If
OE
= V
IH
during an R/
W
controlled write cycle, this requirement does not apply and the write pulse can be as short as the
specified t
WP
.
9. To access RAM
CE
= V
IL
and
SEM
= V
IH
. To access semaphore,
CE
= V
IH
and
SEM
= V
IL
. t
EW
must be met for either condition.
'131*"6
CE UB LB
('
5!
R/
t
WC
t
HZ
t
AW
t
WR
t
AS
t
WP
DATA
OUT
(2)
t
WZ
t
DW
t
DH
t
OW
ADDRESS
DATA
IN
(6)
(4)
(4)
(7)
or
3039 drw 07
(9)
or
(9)
(7)
(3)
3039 drw 08
t
WC
t
AS
t
WR
t
DW
t
DH
ADDRESS
DATA
IN
R/
t
AW
t
EW
or
(3)
(2)
(6)
or
(9)
(9)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70261L20PF HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT70261L25PF HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT70261L25PFI HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT70261L35PF HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT70261L35PFI 250V N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
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IDT70261L15PFG8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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