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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70261S |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| 中文描述： | 高速16K的× 16 DUAL-PORT靜態(tài)RAM的中斷 |
| 文件頁數(shù)： | 4/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 171K |
| 代理商： | IDT70261S |
6.42
IDT70261S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt Industrial and Commercial Temperature Ranges
,&3,&#
'#()##*+
+
456+78!
NOTE:
1. At Vcc
<
2.0V, input leakages are undefined.
'(
Figure 2. Output Test Load
(for t
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*Including scope and jig.
Figure 1. AC Output Test Load
#
!
'
495:46$,;!
-$%
!
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximumrating conditions for extended periods may affect
reliability.
2. V
TERM
must not exceed Vcc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum and is limted to < 20mA for the period of V
TERM
> Vcc + 10%.
NOTES:
1. This parameter is determned by device characterization but is not production
tested.
2. 3dV represents the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from0V to 3V or from3V to 0V.
Symbol
Rating
Commercial
& Industrial
Unit
V
TERM
(2)
Termnal Voltage
with Respect
to GND
-0.5 to +7.0
V
T
BIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
o
C
T
STG
Storage
Temperature
-55 to +125
o
C
I
OUT
DC Output
Current
50
mA
3039 tbl 06
Symbol
Parameter
Conditions
(2)
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
9
pF
C
OUT
Output
Capacitance
V
OUT
= 3dV
10
pF
3039 tbl 07
Symbol
Parameter
Test Conditions
70261S
70261L
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
|
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V to V
CC
___
10
___
5
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
= V
IH
, V
OUT
= 0V to V
CC
___
10
___
5
μA
V
OL
Output LowVoltage
I
OL
= 4mA
___
0.4
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -4mA
2.4
___
2.4
___
V
3039 tbl 08
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timng Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
3ns
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
3039 tbl 09
3039 drw 04
893
30pF
347
5V
DATA
OUT
893
5pF*
347
5V
DATA
OUT
3039 drw 03
,
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70261S15PF | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT70261S15PFI | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT70261S20PF | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT70261S20PFI | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT70261S25PF | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70261S15PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70261S15PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70261S20PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70261S20PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70261S25PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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