參數(shù)資料
型號: IDT70261S
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
中文描述: 高速16K的× 16 DUAL-PORT靜態(tài)RAM的中斷
文件頁數(shù): 6/19頁
文件大?。?/td> 171K
代理商: IDT70261S
6.42
IDT70261S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt Industrial and Commercial Temperature Ranges
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM
CE
= V
IL
and
SEM
= V
IH
. To access semaphore,
CE
= V
IH
and
SEM
= V
IL
.
4. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
,&3,
&#'#()##*+
<!
70261X15
Com'l Only
70261X20
Com'l & Ind
70261X25
Com'l & Ind
Unit
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
15
____
20
____
25
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
15
____
20
____
25
ns
t
ACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
15
____
20
____
25
ns
t
ABE
Byte Enable Access Time
(3)
____
15
____
20
____
25
ns
t
AOE
Output Enable Access Time
____
10
____
12
____
13
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
3
____
3
____
3
____
ns
t
LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
3
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
10
____
12
____
15
ns
t
PU
Chip Enable to Power Up Time
(2)
0
____
0
____
0
____
ns
t
PD
Chip Disable to Power Down Time
(2)
____
15
____
20
____
25
ns
t
SOP
Semaphore Flag Update Pulse (
or
)
10
____
10
____
12
____
ns
t
SAA
Semaphore Address Access Time
____
15
____
20
____
25
ns
3039 tbl 12a
70261X35
Com'l & Ind
70261X55
Com'l & Ind
Unit
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
35
____
55
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
35
____
55
ns
t
ACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
35
____
55
ns
t
ABE
Byte Enable Access Time
(3)
____
35
____
55
ns
t
AOE
Output Enable Access Time
____
20
____
30
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
3
____
3
____
ns
t
LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
15
____
25
ns
t
PU
Chip Enable to Power Up Time
(2)
0
____
0
____
ns
t
PD
Chip Disable to Power Down Time
(2)
____
35
____
50
ns
t
SOP
Semaphore Flag Update Pulse (
or
)
15
____
15
____
ns
t
SAA
Semaphore Address Access Time
____
35
____
55
ns
3039 tbl 12b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70261S15PF HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT70261S15PFI HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT70261S20PF HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT70261S20PFI HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT70261S25PF HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
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參數(shù)描述
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IDT70261S15PF8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口,異步 存儲容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70261S20PF 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70261S20PF8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口,異步 存儲容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70261S25PF 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8