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參數(shù)資料
| 型號： | IDT7026L55GB |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 16K X 16 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CPGA84 |
| 封裝： | CERAMIC, PGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 8/18頁 |
| 文件大小： | 239K |
| 代理商： | IDT7026L55GB |
6.17
8
IDT7026S/L
HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last,
OE
,
CE
,
LB
, or
UB
.
2. Timing depends on which signal is de-asserted first
CE
,
OE
,
LB
, or
UB
.
3. t
BDD
delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations
BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t
AOE
, t
ACE
, t
AA
or t
BDD
.
5.
SEM
= V
IH
.
WAVEFORM OF READ CYCLES
(5)
t
RC
R/
W
CE
ADDR
t
AA
t
ACE(4)
OE
UB
,
LB
2939 drw 06
(4)
t
AOE(4)
t
ABE(4)
(1)
t
LZ
t
OH
(2)
t
HZ
(3, 4)
t
BDD
DATA
OUT
BUSY
OUT
VALID DATA
(4)
TIMING OF POWER-UP POWER-DOWN
CE
2939 drw 07
t
PU
I
CC
I
SB
t
PD
50%
50%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7026L55J | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7026S | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7026S20G | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7026S20GB | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7026S20J | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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