參數(shù)資料
型號： IDT7026S55JB
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 16K X 16 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PQCC84
封裝： PLASTIC, LCC-84
文件頁數(shù)： 13/18頁
文件大?。?/td> 239K
代理商： IDT7026S55JB
IDT7026S/L
HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
6.17
13
TIMING WAVEFORM OF WRITE WITH PORT-TO-PORT READ AND
BUSY
(M/
S
= V
IH
)
(2,4,5)
2939 drw 12
t
DW
t
APS
ADDR
"A"
t
WC
DATA
OUT "B"
MATCH
t
WP
R/
W
"A"
DATA
IN "A"
ADDR
"B"
t
DH
VALID
(1)
MATCH
BUSY
"B"
t
BDA
VALID
t
BDD
t
DDD(3)
t
WDD
t
BAA
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t
APS
is ignored for M/
S
= V
IL
(slave).
2.
CE
L
=
CE
R
= V
IL.
3.
OE
= V
IL
for the reading port.
4. If M/
S
= V
IL
(slave),
BUSY
is an input. Then for this example
BUSY
"A"
= V
IH
and
BUSY
"B"
input is shown above.
5. All timing is the same for left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is the port opposite from port "A".
TIMING WAVEFORM OF WRITE WITH BUSY (M/
S
= V
IL
)
NOTES:
1. t
WH
must be met for both
BUSY
input (SLAVE) and output (MASTER).
2.
BUSY
is asserted on port "B" blocking R/
W
"B"
, until
BUSY
"B"
goes High.
2939 drw 13
R/
W
"A"
BUSY
"B"
t
WP
t
WB
R/
W
"B"
t
WH
(2)
(3)
(1)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7026L55JB HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7026 HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT70261 HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT70261L HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
IDT70261L20PF HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT7027L15PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT7027L15PFG 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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