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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT7026S55JB |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 16K X 16 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PQCC84 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-84 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/18頁(yè) |
| 文件大小： | 239K |
| 代理商： | IDT7026S55JB |
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IDT7026S/L
HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
6.17
5
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
IDT7026S
Min.
—
IDT7026L
Min.
—
Symbol
|I
LI
|
Parameter
Test Conditions
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V to V
CC
Max.
10
Max.
5
Unit
μ
A
μ
A
V
V
Input Leakage Current
(1)
|I
LO
|
V
OL
V
OH
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V to V
CC
I
OL
= 4mA
I
OH
= –4mA
—
—
2.4
10
0.4
—
—
—
2.4
5
0.4
—
NOTE:
1. At Vcc = 2.0V, input leakages are undefined.
2939 tbl 08
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(1)
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
7026X20
Com'l. Only
Typ.
(2)
—
—
180
180
—
—
30
30
—
—
115
115
—
—
1.0
0.2
7026X25
Test
Symbol
I
CC
Parameter
Condition
Version
MIL.
Max. Typ.
(2)
—
—
315
275
—
—
85
60
—
—
210
180
—
—
15
5
Max. Unit
345
305
305
265
100
80
85
60
230
200
200
170
30
10
15
5
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
CE
= V
IL
, Outputs Open
SEM
= V
IH
f = f
MAX(3)
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
170
170
170
170
25
25
25
25
105
105
105
105
1.0
0.2
1.0
0.2
mA
COM’L.
I
SB1
Standby Current
(Both Ports — TTL
Level Inputs)
CE
R
=
CE
L
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
MAX(3)
MIL.
mA
COM’L.
I
SB2
Standby Current
(One Port — TTL
Level Inputs)
CE
"A"
= V
IL
and
CE
"B"
= V
IH(5)
Active Port Outputs Open,
f = f
MAX(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
Both Ports
CE
L
and
CE
R
> V
CC
- 0.2V
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V, f = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
> V
CC
- 0.2V
CE
"A"
< 0.2V and
CE
"B"
> V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
> V
CC
- 0.2V
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V
Active Port Outputs Open,
f = f
MAX(3)
MIL.
mA
COM’L.
I
SB3
Full Standby Current
(Both Ports — All
CMOS Level Inputs)
MIL.
mA
COM’L.
I
SB4
Full Standby Current
(One Port — All
CMOS Level Inputs)
MIL.
S
L
—
—
—
—
100
100
200
175
mA
COM’L.
S
L
110
110
185
160
100
100
170
145
NOTES:
1. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
2. V
CC
= 5V, T
A
= +25
°
C, and are not production tested. I
CCDC
= 120mA (Typ.)
3. At f = f
MAX
,
address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1 / t
RC,
and using “AC Test Conditions”
of input levels of GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
2939 tbl 09
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7026L55JB | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7026 | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
| IDT70261 | HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
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參數(shù)描述 |
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