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參數(shù)資料
| 型號： | IDT7027L25PF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 32K X 16 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 5/19頁 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | IDT7027L25PF |
6.42
IDT7027S/L
High-Speed 32K x 16 Dual-Port Static RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
5
$
01230"%4 $56#7
)%68%6
$,/9:+
:
02":;<
NOTE:
1. At Vcc
<
2.0V, input leakages are undefined.
+,,6
,
=6
$,/9:
&=+
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximumrating conditions for extended periods may affect
reliability.
2. V
TERM
must not exceed Vcc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum and is limted to < 20mA for the period of V
TERM
> Vcc + 10%.
NOTES:
1. This parameter is determned by device characterization but is not production
tested.
2. 3dV represents the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from0V to 3V or from3V to 0V.
NOTES:
1. V
IL
> -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V
TERM
must not exceed Vcc + 10%.
NOTES:
1. This is the parameter T
A
. This is the "instant on" case temperature.
2. Industrial temperature: for other speeds packages and powers, contact your
sales office.
Symbol
Rating
Commercial
& Industrial
Mlitary
Unit
V
TERM
(2)
Termnal Voltage
with Respect
to GND
-0.5 to +7.0
-0.5 to +7.0
V
T
BIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
-65 to +135
o
C
T
STG
Storage
Temperature
-65 to +150
-65 to +150
o
C
I
OUT
DC Output
Current
50
50
mA
3199 tbl 05
Grade
Ambient
Temperature
GND
Vcc
Mlitary
-55
O
C to+125
O
C
0V
5.0V
+
10%
Commercial
0
O
C to +70
O
C
0V
5.0V
+
10%
Industrial
-40
O
C to +85
O
C
0V
5.0V
+
10%
3199 tbl 06
Symbol
Parameter
Conditions
(2)
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
9
pF
C
OUT
Output
Capacitance
V
OUT
= 3dV
10
pF
3199 tbl 08
Symbol
Parameter
Mn.
Typ.
Max.
Unit
V
CC
Supply Voltage
4.5
5.0
5.5
V
GND
Ground
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage
2.2
____
6.0
(2)
V
V
IL
Input LowVoltage
-0.5
(1)
____
0.8
V
3199 tbl 07
Symbol
Parameter
Test Conditions
7027S
7027L
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
|
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V to V
CC
___
10
___
5
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V to V
CC
___
10
___
5
μA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 4mA
___
0.4
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -4mA
2.4
___
2.4
___
V
3199 tbl 09
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7027L25PFB | HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7027L25PFI | HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7027L55G | HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7027L55GB | HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7027L55GI | HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IDT7027L35G | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 108PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7027L35PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT7027L35PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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