參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70824L25G
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
中文描述： 4K X 16 STANDARD SRAM, 25 ns, CPGA84
封裝： PGA-84
文件頁(yè)數(shù)： 19/21頁(yè)
文件大?。?/td> 205K
代理商： IDT70824L25G
6.42
IDT70824S/L
High-Speed 4K x 16 Sequential Access Random Access Memory Military and Commercial Temperature Ranges
$%5&2A2
CB!
$%5&2#2
C!
NOTES:
1. 'D0' represents data input for Address = 0, 'D1' represents data input for Address = 1, etc.
2. If
CNTEN
= V
IL
then 'D1' would be written into 'A1' at this point.
3. Data output is available at a t
CD
after the SR/
W
= V
IH
is clocked. The
RST
sets SR/
W
= LOW internally and therefore disables the output until the next clock.
4.
SCE
= V
IL
throughout all cycles.
5. If
CNTEN
=V
IL
then 'D1' would be clocked out (read) at this point.
6. SR/
W
= V
IL
.
RST
CNTEN
SCLK
(2)
D0
SI/O
IN
3099 drw 23
D1
D2
D3
D4
RST
CNTEN
SCLK
(5)
SI/O
OUT
3099 drw 24
D0
D2
D1
D3
SR/
W
(3)
(5)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70824L25GB Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
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IDT70824S High Speed Low-Noise JFET-Input Dual Operational Amplifier 20-LCCC -55 to 125
IDT70824L20GI HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70824L25PF 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
IDT70824L25PF8 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
IDT70824L25PFI 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
IDT70824L25PFI8 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
IDT70824L35G 功能描述:IC SARAM 64KBIT 35NS 84PGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
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