參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70824L35PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： TRANS NPN W/RES 30 HFE S-MINI 3P
中文描述： 4K X 16 STANDARD SRAM, 35 ns, PQFP80
封裝： TQFP-80
文件頁(yè)數(shù)： 13/21頁(yè)
文件大小： 205K
代理商： IDT70824L35PF
6.42
IDT70824S/L
High-Speed 4K x 16 Sequential Access Random Access Memory Military and Commercial Temperature Ranges
A6A2F.
#
W
#)!
B!
A6A2F.
#
CE LB
#
UB
#)!
BD!
NOTES:
1. R/
W
,
CE
, or
LB
and
UB
must be inactive during all address transitions.
2. A write occurs during the overlap of R/
W
= V
IL
,
CE
= V
IL
and
LB
= V
IL
and/or
UB
= V
IL
.
3. t
WR
is measured fromthe earlier of
CE
(and
LB
and/or
UB
) or R/
W
going HIGH to the end of the write cycle.
4. During this period, I/O pins are in the output state and the input signals must not be applied.
5. If the
CE
LOW transition occurs simultaneously with or after the R/
W
LOW transition, the outputs remain in the High-impedance state.
6.
OE
is continuously HIGH,
OE
= V
IH
. If during the R/
W
controlled write cycle the
OE
is LOW, t
WP
must be greater or equal to t
WHZ
+ t
DW
to allow the I/O drivers to
turn off and on the data to be placed on the bus for the required t
DW
. If
OE
is HIGH during the R/
W
controlled write cycle, this requirement does not apply and the mnimum
write pulse is the specified t
WP
. For the
CE
controlled write cycle,
OE
may be LOW with no degregation to t
CW
timng.
7. I/O
OUT
is never enabled, therefore the output is in High-Z state during the entire write cycle.
8.
CMD
access follows the standard
CE
access described above. If
CMD
= V
IL
, then
CE
must = V
IH
or, when
CE
= V
IL
,
CMD
must = V
IH
.
CE
,
LB
,
UB
ADDR
t
AW
t
WR
t
DW
I/O
IN
t
WC
t
WP
t
DH
R/
W
t
AS
I/O
OUT
t
WHZ
t
BE
t
ACS
OE
t
OHZ
t
OW
3099 drw 15
(5)
(2)
(3)
Data Out
Data Out
(4)
Valid Data In
(8)
t
WR
CE,
LB
,
UB
t
AW
t
DW
I/O
IN
ADDR
t
WC
R/
W
t
DH
t
AS
3099 drw 16
Valid Data
(5)
t
BP
(2)
t
CW
(2)
(3)
(8)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70824L35PFB TRANS NPN W/RES 20 HFE S-MINI 3P
IDT70824L45PF HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824L45PFB TRANS NPN W/RES 80 HFE SMINI-3
IDT70824L20PF HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824L20PFB HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT70824S20G 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824S20PF 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824S20PF8 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824S25G 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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