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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70824S25PFB |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩) |
| 中文描述： | 高速4K的× 16順序訪問隨機(jī)存取存儲器（單存取RAM⑩） |
| 文件頁數(shù)： | 16/21頁 |
| 文件大小： | 205K |
| 代理商： | IDT70824S25PFB |
16
IDT70824S/L
High-Speed 4K x 16 Sequential Access Random Access Memory Military and Commercial Temperature Ranges
#
STRT
EOB
)=$%
CNTEN
(2)
t
OLZ
t
OHZ
D1
D2
SSTRT
1/2
SR/
W
SCE
SOE
SCLK
t
CYC
t
CH
t
CL
t
EH
t
ES
t
EH
t
ES
(4)
(1)
Dx
HIGH IMPEDANCE
t
WS
t
WH
t
WS
t
WH
t
CD
t
SOE
t
WS
t
WH
t
WS
t
WH
(2)
t
DS
t
DH
D0
t
CKLZ
(3)
(5)
EOB
1/2
t
EB
SI/O
IN
SI/O
OUT
3099 drw19
D3
$%"A##
NOTES:
1. If
SLD
= V
IL
, then address will be clocked in on the SCLK's rising edge.
2. If
CNTEN
= V
IH
for the SCLK's rising edge, the internal address counter will not advance.
3. Pointer is not incremented on cycle immediately following
SLD
even if
CNTEN
is LOW.
NOTES:
(Also used in Figure "Read
STRT
/
EOB
Flag Timng")
1. If
SSTRT
1
or
SSTRT
2
= V
IL
, then address will be clocked in on the SCLK's rising edge.
2. If
CNTEN
= V
IH
for the SCLK's rising edge, the internal address counter will not advance.
3.
SOE
will control the output and should be HIGH on power-up. If
SCE
= V
IL
and is clocked in while SR/
W
= V
IH
, the data addressed will be read out within that
cycle. If
SCE
= V
IL
and is clocked in while SR/
W
= V
IL
, the data addressed will be written to if the last cycle was a read.
SOE
may be used to control the bus
contention and permt a write on this cycle.
4. Unlike
SLD
case,
CNTEN
is not disabled on cycle immediately following
SSTRT
.
5. If SR/
W
= V
IL
, data would be written to D
0
again since
CNTEN
= V
IH
.
6.
SOE
= V
IL
makes no difference at this point since the SR/
W
= V
IL
disables the output until SR/
W
= V
IH
is clocked in on the next rising clock edge.
t
CYC
D1
D0
t
CH
t
CL
t
DS
t
DH
t
OHZ
t
EH
t
ES
t
EH
t
ES
(1)
(3)
A0
Dx
HIGH IMPEDANCE
t
WS
t
WH
t
WS
t
WH
t
OLZ
t
CKLZ
t
WS
t
WH
t
WH
(2)
t
DS
t
DH
(2)
SLD
CNTEN
SR/
W
SCE
SOE
SCLK
SI/O
IN
SI/O
OUT
3099 drw 18
t
SD
t
SOP
t
WS
D2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70824S35G | HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩) |
| IDT70824S35GB | HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩) |
| IDT70824L | Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 |
| IDT70824L25G | Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 |
| IDT70824L25GB | Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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