- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄377271 > IDT70824S35GB (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IDT70824S35GB |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩) |
| 中文描述： | 4K X 16 STANDARD SRAM, 35 ns, CPGA84 |
| 封裝： | PGA-84 |
| 文件頁數： | 19/21頁 |
| 文件大小： | 205K |
| 代理商： | IDT70824S35GB |
6.42
IDT70824S/L
High-Speed 4K x 16 Sequential Access Random Access Memory Military and Commercial Temperature Ranges
$%5&2A2
CB!
$%5&2#2
C!
NOTES:
1. 'D0' represents data input for Address = 0, 'D1' represents data input for Address = 1, etc.
2. If
CNTEN
= V
IL
then 'D1' would be written into 'A1' at this point.
3. Data output is available at a t
CD
after the SR/
W
= V
IH
is clocked. The
RST
sets SR/
W
= LOW internally and therefore disables the output until the next clock.
4.
SCE
= V
IL
throughout all cycles.
5. If
CNTEN
=V
IL
then 'D1' would be clocked out (read) at this point.
6. SR/
W
= V
IL
.
RST
CNTEN
SCLK
(2)
D0
SI/O
IN
3099 drw 23
D1
D2
D3
D4
RST
CNTEN
SCLK
(5)
SI/O
OUT
3099 drw 24
D0
D2
D1
D3
SR/
W
(3)
(5)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70824L | Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 |
| IDT70824L25G | Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 |
| IDT70824L25GB | Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 |
| IDT70824L25PF | Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70 |
| IDT70824L25PFB | Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IDT70824S35PF | 功能描述:IC SARAM 64KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT70824S35PF8 | 功能描述:IC SARAM 64KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT70825L20G | 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT70825L20PF | 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT70825L20PF8 | 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。