參數(shù)資料
型號： IDT70824S35PFB
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
中文描述： 4K X 16 STANDARD SRAM, 35 ns, PQFP80
封裝： TQFP-80
文件頁數(shù)： 12/21頁
文件大?。?/td> 205K
代理商： IDT70824S35PFB
12
IDT70824S/L
High-Speed 4K x 16 Sequential Access Random Access Memory Military and Commercial Temperature Ranges
A6#2"#
!
A6#2"#'#
NOTE:
1.
CE
= V
IH
when
CMD
= V
IL
.
NOTES:
1. R/
W
is HIGH for read cycle.
2. Address valid prior to or coincident with
CE
transition LOW; otherwise t
AA
is the limting parameter.
ADDR
OE
t
RC
t
AA
t
OH
Valid Data Out
t
CHZ
t
OHZ
t
BE
t
BLZ
t
OE
t
OLZ
CE
LB,
UB
t
ACS
t
CLZ
t
BHZ
I/O
OUT
3099 drw13
(2)
ADDR
OE
t
RC
t
AA
t
OH
Valid Data Out
t
CHZ
t
OHZ
t
BE
t
BLZ
t
OE
t
OLZ
CMD
LB
,
UB
t
ACS
t
CLZ
t
BHZ
I/O
OUT
3099 drw 14
(1)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IDT70824S20G HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
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IDT70824S20PF MCX PLUG R/A SEMI-RIGID, RG405 RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
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IDT70825L20PF 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70825L20PF8 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70825L20PFI 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70825L20PFI8 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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