參數(shù)資料
型號： IDT70824S45GB
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
中文描述： 4K X 16 STANDARD SRAM, 45 ns, CPGA84
封裝： PGA-84
文件頁數(shù)： 15/21頁
文件大小： 205K
代理商： IDT70824S45GB
6.42
IDT70824S/L
High-Speed 4K x 16 Sequential Access Random Access Memory Military and Commercial Temperature Ranges
$%"A#F=#
NOTES:
1. If
SLD
= V
IL
, then address will be clocked in on the SCLK's rising edge.
2. If
CNTEN
= V
IH
for the SCLK's rising edge, the internal address counter will not advance.
3. Pointer is not incremented on cycle immediately following
SLD
even if
CNTEN
is LOW.
$%"5/
36/3)#$24
!
NOTES:
1. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
2. Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers contact your sales office.
Symbol
Parameter
70824X20
Com'l Only
70824X25
Com'l Only
70824X35
Com'l &
Mlitary
70824X45
Com'l &
Mlitary
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
WRITE CYCLE
t
RSPW
Reset Pulse Width
13
____
15
____
20
____
20
____
ns
t
WERS
Write Enable HIGH to Reset HIGH
10
____
10
____
10
____
10
____
ns
t
RSRC
Reset HIGH to Write Enable LOW
10
____
10
____
10
____
10
____
ns
t
RSFV
Reset HIGH to Flag Valid
15
____
20
____
25
____
25
____
ns
3099 tbl 24
SLD
CNTEN
D0
SR/
W
SCE
SOE
SCLK
t
CYC
t
CH
t
CL
t
DS
t
DH
t
OHZ
t
EH
t
ES
t
EH
t
ES
(1)
(3)
A0
Dx
D0
D0
HIGH IMPEDANCE
t
WS
t
WH
t
CD
t
SOE
t
OLZ
t
CKLZ
t
WS
t
WH
t
WS
t
WH
t
WS
t
WH
t
CSZ
t
CKHZ
SI/O
IN
SI/O
OUT
3099 drw 17
(2)
相關PDF資料
PDF描述
IDT70824S20G HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824S20GB HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824S20PF MCX PLUG R/A SEMI-RIGID, RG405 RoHS Compliant: Yes
IDT70824S20PFB HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824S25G HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT70825L20PF8 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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