參數(shù)資料
型號: IDT70824S45GB
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
中文描述: 4K X 16 STANDARD SRAM, 45 ns, CPGA84
封裝: PGA-84
文件頁數(shù): 20/21頁
文件大?。?/td> 205K
代理商: IDT70824S45GB
20
IDT70824S/L
High-Speed 4K x 16 Sequential Access Random Access Memory Military and Commercial Temperature Ranges
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!
NOTES:
1. The sequential port is in the STOP mode and is being restarted fromthe randomport by the Bit 4 Counter Release (see Case 5).
2. "0" is written to Bit 4 fromthe randomport at address [A
2
- A
0
] = 100, when
CMD
= V
IL
and
CE
= V
IH
. The device is in the Buffer Command Mode (see Case 5).
3. CLR is an internal signal only and is shown for reference only.
4. Sequential port must also prohibit SR/
W
or
SCE
frombeing LOW for t
WERS
and t
RSRC
periods or SCLK must not toggle fromLOW-to-HIGH until after t
RSRC
.
t
RSPW
RST
R/
W
, SR/
W CMD
or (
UB
+
LB
)
t
RSRC
t
WERS
EOB
(1 or 2)
Flag Valid
t
RSFV
3099 drw 25
(4)
t
FS
SCLK
R/
W
(Internal Signal)
2-5ns
6-7ns
0.5 x t
CYC
3099 drw 26
CLR
Block
(3)
(2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70824S20G HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824S20GB HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
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IDT70824S25G HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
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參數(shù)描述
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