參數(shù)資料
型號： IDT70824S45PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
中文描述： 4K X 16 STANDARD SRAM, 45 ns, PQFP80
封裝： TQFP-80
文件頁數(shù)： 6/21頁
文件大?。?/td> 205K
代理商： IDT70824S45PF
6
IDT70824S/L
High-Speed 4K x 16 Sequential Access Random Access Memory Military and Commercial Temperature Ranges
>>@A6##$%!
!
Figure 3. Lumped Capacitance Load Typical Derating Curve
)#
Input Pulse Levels
Figure 1. AC Output Test Load
Figure 2. Output Test Load (for t
CLZ
, t
BLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
BHZ
,
t
OHZ
,t
WHZ
, t
CKHZ
, and t
CKLZ
)
(*Including scope and jig.)
NOTES :
1.
SCE
is synchronized to the sequential clock input.
2.
CMD
> V
CC
- 0.2V.
DATA RETENTION MODE
V
CC
CE
3099 drw 04
4.5V
t
CDR
t
R
V
DR
V
IH
4.5V
V
DR
2V
≥
SCLK
SCE
V
IH
I
CC
I
SB
t
PD
I
SB
t
PU
3099 drw 06
893
30pF
347
5V
DATA
OUT
893
5pF*
347
5V
DATA
OUT
3099 drw 05
1
2
3
4
5
6
7
8
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
CAPACITANCE (pF)
10pF is the I/O
capacitance of
this device, and
30pF is the AC
Test Load
capacitance.
3099 drw 07
tAA/tCD/tEB
(Typical, ns)
-1
-2
-3
,
Input Rise/Fall Times
Input Timng Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
3ns Max.
1.5V
1.5V
Figures 1,2 and 3
3099 tbl 10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70824S45PFB HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824L35GB HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824L35PF TRANS NPN W/RES 30 HFE S-MINI 3P
IDT70824L35PFB TRANS NPN W/RES 20 HFE S-MINI 3P
IDT70824L45PF HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
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參數(shù)描述
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