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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70825S45PFB |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩) |
| 中文描述： | 8K X 16 STANDARD SRAM, 45 ns, PQFP80 |
| 封裝： | TQFP-80 |
| 文件頁數(shù)： | 15/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 319K |
| 代理商： | IDT70825S45PFB |
IDT70825S/L
HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
6.31
15
SEQUENTIAL PORT WAVEFORM: WRITE, POINTER LOAD, NON-INCREMENTING READ
SLD
CNTEN
D0
SR/
W
SCE
SOE
SCLK
t
CYC
t
CH
t
CL
t
DS
t
DH
t
OHZ
t
EH
t
ES
t
EH
t
ES
(1)
(3)
A0
Dx
D0
D0
HIGH IMPEDANCE
t
WS
t
WH
t
CD
t
SOE
t
OLZ
t
CKLZ
t
WS
t
WH
t
WS
t
WH
t
WS
t
WH
t
CSZ
t
CKHZ
SI/O
IN
SI/O
OUT
3016 drw 17
(2)
SEQUENTIAL PORT WAVEFORM: WRITE, POINTER LOAD, BURST READ
NOTES:
1. If
SLD
= V
IL
, then address will be clocked in on the SCLK's rising edge.
2. If
CNTEN
= V
IH
for the SCLK's rising edge, the internal address counter will not advance.
3. Pointer is not incremented on cycle immediately following
SLD
even if
CNTEN
is LOW.
t
CYC
D1
D0
t
CH
t
CL
t
DS
t
DH
t
OHZ
t
EH
t
ES
t
EH
t
ES
(1)
(3)
A0
Dx
HIGH IMPEDANCE
t
WS
t
WH
t
WS
t
WH
t
CD
t
SOE
t
OLZ
t
CKLZ
t
WS
t
WH
t
WS
t
WH
(2)
D2
t
DS
t
DH
(2)
SLD
CNTEN
SR/
W
SCE
SOE
SCLK
SI/O
IN
SI/O
OUT
3016 drw 18
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IDT709089L9PFI | HIGH-SPEED 64K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT709089S | HIGH-SPEED 64K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT709089S12PFI | HIGH-SPEED 64K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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