參數(shù)資料
型號(hào): IDT70825S45PFB
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
中文描述: 8K X 16 STANDARD SRAM, 45 ns, PQFP80
封裝: TQFP-80
文件頁(yè)數(shù): 6/21頁(yè)
文件大小: 319K
代理商: IDT70825S45PFB
6.31
6
IDT70825S/L
HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY
DATA RETENTION AND POWER DOWN/UP WAVEFORM (RANDOM AND SEQUENTIAL PORT)
(1,2)
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
DATA RETENTION MODE
V
CC
CE
3016 drw 04
4.5V
t
CDR
t
R
V
DR
V
IH
4.5V
V
DR
2V
SCLK
SCE
V
IH
I
CC
I
SB
t
PD
I
SB
t
PU
NOTES :
1.
SCE
is synchronized to the sequential clock input.
2.
CMD
> V
CC
- 0.2V.
Figure 3. Lumped Capacitance Load Typical Derating Curve
1
2
3
4
5
6
7
8
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
CAPACITANCE (pF)
10pF is the I/O
capacitance of
this device, and
30pF is the AC
Test Load
capacitance.
3016 drw 07
tAA/tCD/tEB
(Typical, ns)
-1
-2
-3
3016 drw 06
893
30pF
347
5V
DATA
OUT
893
5pF
347
5V
DATA
OUT
3016 drw 05
Figure 2. Output Test Load (for t
CLZ
, t
BLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
,
t
BHZ
, t
OHZ
, t
WHZ
, t
CKHZ
, and t
CKLZ
)
Including scope and jig.
Figure 1. AC Output Test Load
AC TEST CONDITIONS
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
AC Test Load
GND to 3.0V
3ns Max.
1.5V
1.5V
Figures 1, 2, and 3
3016 tbl 10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT709089L9PF HIGH-SPEED 64K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT709089L9PFI HIGH-SPEED 64K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT709089S HIGH-SPEED 64K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT709089S12PF HIGH-SPEED 64K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
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參數(shù)描述
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