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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V27L25BF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 32K X 16 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PBGA144 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-144 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/22頁(yè) |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | IDT70V27L25BF |
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Commercial and Industrial Temperature Range
IDT 70V27S/L
High-Speed 3.3V 32K x 16 Dual-Port Static RAM
7
0(8:(8
'-1;<
!"@"A$
!<
2#&#<=&#<$
NOTES:
1. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
2. V
CC
= 3.3V, T
A
= +25
°
C, and are not production tested. I
CCDC
= 90mA (Typ.)
3. At f = f
MAX
,
address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximumfrequency read cycle of 1/t
RC,
and using
“
AC Test Conditions
”
of input
levels of GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite fromport "A".
6. Refer to Chip Enable Truth Table.
7. Industrial temperature: for other speeds, packages and powers contact your sales office.
70V27X15
Com'l Only
70V27X20
Com'l Only
70V27X25
Com'l Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Unit
I
CC
Dynamc Operating
Current
(Both Ports Active)
CE
= V
IL
, Outputs Disabled
SEM
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
170
170
260
225
165
165
255
220
145
145
245
210
mA
IND'L
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
145
145
280
245
I
SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL Level
Inputs)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
44
44
70
60
39
39
60
50
27
27
50
40
mA
IND'L
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
27
27
60
50
I
SB2
Standby Current
(One Port - TTL Level
Inputs)
CE
"A"
= V
IL
and
CE
"B"
= V
IH
(5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f
MAX
(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
COML
S
L
115
115
160
145
105
105
155
140
90
90
150
135
mA
IND'L
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
90
90
170
150
I
SB3
Full Standby Current
(Both Ports - All
CMOS Level Inputs)
Both Ports
CE
L
and
CE
R
> V
CC
- 0.2V
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V, f = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
> V
CC
- 0.2V
COML
S
L
1.0
0.2
6
3
1.0
0.2
6
3
1.0
0.2
6
3
mA
IND'L
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
1.0
0.2
10
6
I
SB4
Full Standby Current
(One Port - All CMOS
Level Inputs)
CE
"A"
< 0.2V and
CE
"B"
> V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
> V
CC
- 0.2V
V
IN
> V
CC
- 0.2V or V
IN
< 0.2V
Active Port Outputs Disabled
f = f
MAX
(3)
COML
S
L
115
115
155
140
105
105
150
135
90
90
145
130
mA
IND'L
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
90
90
170
145
3603 tbl 10a
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V27L25BFI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V27L25G | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V27L25GI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V27L25PF | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V27L25PFI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V27L25PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V27L25PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V27L35PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V27L35PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V27L35PFI | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
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