參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V27S55BF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 32K X 16 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PBGA144
封裝： 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-144
文件頁數(shù)： 11/22頁
文件大?。?/td> 192K
代理商： IDT70V27S55BF
Commercial and Industrial Temperature Range
IDT 70V27S/L
High-Speed 3.3V 32K x 16 Dual-Port Static RAM
11
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM
CE
= V
IL
and
SEM
= V
IH
. To access semaphore,
CE
= V
IH
and
SEM
= V
IL
. Either condition must be valid for the entire t
EW
time. Refer to Chip Enable
Truth Table.
4. The specification for t
DH
must be met by the device supplying write data to the RAMunder all operating conditions. Although t
DH
and t
OW
values will vary over voltage
and temperature, the actual t
DH
will always be smaller than the actual t
OW
.
5. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
6. Industrial temperature: for other speeds, packages and powers contact your sales office.
0(8:(
8'-1;<
!4"@$
Symbol
Parameter
70V27X15
Coml Only
70V27X20
Coml Only
70V27X25
Coml Only
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
WRITE CYCLE
t
WC
Write Cycle Time
15
____
20
____
25
____
ns
t
EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
12
____
15
____
20
____
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
12
____
15
____
20
____
ns
t
AS
Address Set-up Time
(3)
0
____
0
____
0
____
ns
t
WP
Write Pulse Width
12
____
15
____
20
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
DW
Data Valid to End-of-Write
10
____
15
____
15
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
10
____
10
____
15
ns
t
DH
Data Hold Time
(4)
0
____
0
____
0
____
ns
t
WZ
Write Enable to Output in High-Z
(1,2)
____
10
____
10
____
15
ns
t
OW
Output Active fromEnd-of-Write
(1,2,4)
0
____
0
____
0
____
ns
t
SWRD
SEM
Flag Write to Read Time
5
____
5
____
5
____
ns
t
SPS
SEM
Flag Contention Window
5
____
5
____
5
____
ns
3603 tbl 13a
Symbol
Parameter
70V27X35
Com'l & Ind
70V27X55
Coml Only
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
WRITE CYCLE
t
WC
Write Cycle Time
35
____
55
____
ns
t
EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
30
____
45
____
ns
t
AW
Address Valid to End-of-Write
30
____
45
____
ns
t
AS
Address Set-up Time
(3)
0
____
0
____
ns
t
WP
Write Pulse Width
25
____
40
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
ns
t
DW
Data Valid to End-of-Write
20
____
30
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
20
____
25
ns
t
DH
Data Hold Time
(4)
0
____
0
____
ns
t
WZ
Write Enable to Output in High-Z
(1,2)
____
20
____
25
ns
t
OW
Output Active fromEnd-of-Write
(1,2,4)
0
____
0
____
ns
t
SWRD
SEM
Flag Write to Read Time
5
____
5
____
ns
t
SPS
SEM
Flag Contention Window
5
____
5
____
ns
3603 tbl 13b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V27S55BFI HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V27S55G HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V27S55GI HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V28L HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V28L15PF HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V27S55PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V27S55PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V28L15PF 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V28L15PF8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V28L15PFG 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*