參數(shù)資料
型號： IDT70V27S55G
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 32K X 16 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CPGA108
封裝： CERAMIC, PGA-108
文件頁數(shù)： 15/22頁
文件大?。?/td> 192K
代理商： IDT70V27S55G
Commercial and Industrial Temperature Range
BUSY
!"4$
!>.
S
2<
*E
$
!B$
IDT 70V27S/L
High-Speed 3.3V 32K x 16 Dual-Port Static RAM
'/: /C(,,--
15
NOTES:
1. t
WH
must be met for both
BUSY
input (SLAVE) and output (MASTER).
2.
BUSY
is asserted on port "B" blocking R/
W
"B"
, until
BUSY
"B"
goes HIGH.
3. t
WB
is only for the "Slave" version.
'/: /C(
BUSY
!>.
S
2<
*9
$
3603 drw 11
t
DW
t
APS
ADDR
"A"
t
WC
DATA
OUT "B"
MATCH
t
WP
R/
W
"A"
DATA
IN "A"
ADDR
"B"
t
DH
VALID
(1)
MATCH
BUSY
"B"
t
BDA
VALID
t
BDD
t
DDD
(3)
t
WDD
t
BAA
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t
APS
is ignored for M/
S
= V
IL
(SLAVE).
2.
CE
L
=
CE
R
= V
IL
(refer to Chip Enable Truth Table).
3.
OE
= V
IL
for the reading port.
4. If M/
S
= V
IL
(SLAVE), then
BUSY
is an input. Then for this example
BUSY
"
A
"= V
IH
and
BUSY
"
B
"= input is shown above.
5. All timng is the same for left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is the port opposite fromport "A".
3603 drw 12
R/W
"A"
BUSY
"B"
t
WP
t
WB
R/
W
"B"
t
WH
(2)
(3)
(1)
,,
相關PDF資料
PDF描述
IDT70V27S55GI HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V28L HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V28L15PF HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V28L15PFI HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V28L20PF HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V27S55PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V27S55PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V28L15PF 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V28L15PF8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V28L15PFG 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
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