參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V27S55G
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 32K X 16 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CPGA108
封裝： CERAMIC, PGA-108
文件頁(yè)數(shù)： 16/22頁(yè)
文件大?。?/td> 192K
代理商： IDT70V27S55G
Commercial and Industrial Temperature Range
CE
'
!>.
S
2<
*E
$
!"#$
IDT 70V27S/L
High-Speed 3.3V 32K x 16 Dual-Port Static RAM
/:
BUSY
)-);
16
/:
'
BUSY
);-);-->(
!>.
S
2<
*E
$
!$
NOTES:
1. All timng is the same for left and right ports. Port
“
A
”
may be either the left or right port. Port
“
B
”
is the port opposite fromport
“
A
”
.
2. If t
APS
is not satisfied, the busy signal will be asserted on one side or another but there is no guarantee on which side busy will be asserted.
3. Refer to Chip Enable Truth Table.
NOTES:
1. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
2. Industrial temperature: for other speeds, packages and powers contact your sales office.
0(8:(
8'-1;<
!"$
3603 drw 13
ADDR
"A"
and
"B"
ADDRESSES MATCH
CE
"B"
BUSY
"B"
t
APS
t
BAC
t
BDC
(2)
CE
"A"
3603 drw 14
ADDR
"A"
ADDRESS "N"
ADDR
"B"
BUSY
"B"
t
APS
t
BAA
t
BDA
(2)
MATCHING ADDRESS "N"
Symbol
Parameter
70V27X15
Com'l Only
70V27X20
Com'l Only
70V27X25
Com'l Only
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
INTERRUPT TIMING
t
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
INS
Interrupt Set Time
____
15
____
20
____
25
ns
t
INR
Interrupt Reset Time
____
25
____
20
____
35
ns
3603 tbl 15a
Symbol
Parameter
70V27X35
Com'l &Ind
70V27X55
Com'l Only
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
INTERRUPT TIMING
t
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
ns
t
INS
Interrupt Set Time
____
30
____
40
ns
t
INR
Interrupt Reset Time
____
35
____
45
ns
3603 tbl 15b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V27S55GI HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V28L HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V28L15PF HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V28L15PFI HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V28L20PF HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V27S55PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V27S55PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V28L15PF 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V28L15PF8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V28L15PFG 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
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